主要技术内容
T/CASAS 030—2023《GaN毫米波前端芯片测试方法》描述了GaN毫米波前端芯片的术语、定义、测试条件、测试要求和测试方法，结合了近几年科研人员在毫米波氮化镓前端芯片领域的研发、测试评估以及应用方面的经验总结，对毫米波氮化镓前端芯片性能指标的测试方法进行了详细的规定，包括且不限于测试目的、测试环境、测试方法及步骤、测试工具及仪表等。
Measurement methods on GaN millimeter Wave front-end MMIC
现行
2023-06-30
2023-07-01
T/CASAS 030-2023
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
团体标准
T/CASAS 030—2023《GaN毫米波前端芯片测试方法》描述了GaN毫米波前端芯片的术语、定义、测试条件、测试要求和测试方法，结合了近几年科研人员在毫米波氮化镓前端芯片领域的研发、测试评估以及应用方面的经验总结，对毫米波氮化镓前端芯片性能指标的测试方法进行了详细的规定，包括且不限于测试目的、测试环境、测试方法及步骤、测试工具及仪表等。
中国电子科技集团第五十五研究所、中兴通讯股份有限公司、北京大学、苏州能讯高能半导体有限公司、中国科学院半导体研究所、中国电子科技集团第十三研究所、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
周强、龚健伟、余旭明、刘建利、王茂俊、徐瑞鹏
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| T/QGCML 585-2022 | LED芯片技术规范 | 现行 | 2022-12-26 | 2023-01-03 |
| GB/T 36613-2018 | 发光二极管芯片点测方法 | 现行 | 2018-09-17 | 2019-01-01 |
| T/CIE 134-2022 | 磁随机存储芯片数据保持时间测试方法 | 现行 | 2022-08-10 | 2022-08-10 |
| T/BDT 003-2024 | 高速模拟数字转换芯片（ADC）测试设备 | 现行 | 2024-10-09 | 2024-10-10 |
| T/CESA 1248-2023 | 小芯片接口总线技术要求 | 现行 | 2023-01-13 | 2023-01-13 |
| CJ/T 306-2009 | 建设事业非接触式CPU卡芯片技术要求 | 现行 | 2009-05-19 | 2009-10-01 |
| T/CIE 126-2021 | 磁随机存储芯片测试方法 | 现行 | 2021-12-23 | 2022-02-10 |
| GB/T 44831-2024 | 皮肤芯片通用技术要求 | 现行 | 2024-10-26 | 2024-10-26 |
| GB/T 28856-2012 | 硅压阻式压力敏感芯片 | 现行 | 2012-11-05 | 2013-02-15 |
| T/CASAS 031-2023 | 面向5G基站应用的Sub-6GHz氮化镓功放 模块测试方法 | 现行 | 2023-06-30 | 2023-07-01 |