硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法

practice for shallow etch pit detection on silicon

GB/T 26066-2010 推荐性国家标准

现行

标准状态

发布日期

2011-01-10

实施日期

2011-10-01

基础信息

标准号

GB/T 26066-2010

批准发布部门

国家标准委

发布部门

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会

技术归口

国家标准委

标准分类

中国标准分类号

H80

国际标准分类号

29.045

标准层级

国家标准

GB/T 26066-2010 相关专题

GB/T 26066-2010 相似标准

标准号 标准名称 状态 发布日期 实施日期
T/ZSA 38-2020 SiC晶片的残余应力检测方法 现行 2020-12-17 2020-12-18
T/WLJC 57-2019 晶片精密研磨盘 现行 2019-04-22 2019-04-22
GB/T 16595-2019 晶片通用网格规范 现行 2019-03-25 2020-02-01
GB/T 25188-2010 晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法 现行 2010-09-26 2011-08-01
T/ZZB 0497-2018 声表面波器件用单晶晶片 现行 2018-08-31 2018-09-30
GZB 6-08-02-05 压电石英晶片加工工 现行 2003-02-08 2003-02-08
GB/T 30118-2013 声表面波(SAW)器件用单晶晶片规范与测量方法 现行 2013-12-17 2014-05-15
GB/T 44631-2024 晶片承载器传输并行接口要求 现行 2024-09-29 2025-04-01
T/IAWBS 008-2019 SiC晶片的残余应力检测方法 现行 2019-12-27 2019-12-31
YS/T 986-2014 晶片正面系列字母数字标志规范 现行 2014-10-14 2015-04-01
SJ/T 11497-2015 砷化镓晶片热稳定性的试验方法 现行 2015-04-30 2015-10-01
T/WLJC 58-2019 晶片精密研磨盘用修正轮 现行 2019-04-22 2019-04-22
DB43/T 3054-2024 牛粪有机肥生产技术规程 现行 2024-08-30 2024-11-30