硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法

Thickness measurements for ultrathin silicon oxide layers on silicon wafers X-ray photoelectron spectroscopy

GB/T 25188-2010 推荐性国家标准

现行

标准状态

发布日期

2010-09-26

实施日期

2011-08-01

基础信息

标准号

GB/T 25188-2010

批准发布部门

中国科学院

发布部门

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会

技术归口

中国科学院

标准分类

中国标准分类号

G04

国际标准分类号

71.040.40

标准层级

国家标准

专题

相似标准

标准号	标准名称	状态	发布日期	实施日期
T/IAWBS 008-2019	SiC晶片的残余应力检测方法	现行	2019-12-27	2019-12-31
T/ZSA 38-2020	SiC晶片的残余应力检测方法	现行	2020-12-17	2020-12-18
GB/T 26066-2010	硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法	现行	2011-01-10	2011-10-01
GB/T 44631-2024	晶片承载器传输并行接口要求	现行	2024-09-29	2025-04-01
GB/T 30118-2013	声表面波（SAW）器件用单晶晶片规范与测量方法	现行	2013-12-17	2014-05-15
GB/T 16595-2019	晶片通用网格规范	现行	2019-03-25	2020-02-01
NY/T 2831-2015	伊犁马	现行	2015-10-09	2015-12-01
NY/T 851-2004	小麦产地环境技术条件	现行	2005-01-04	2005-02-01