主要技术内容
本文件规定了SiC晶片内部残余应力的光学无损检测方法。本文件适用于晶片厚度适当，对波长400-700nm的可见光范围内测试光的透过率在30%以上的SiC晶片。
Experimental method for residual stress in SiC wafers
现行
2020-12-17
2020-12-18
T/ZSA 38-2020
中关村标准化协会
团体标准
本文件规定了SiC晶片内部残余应力的光学无损检测方法。本文件适用于晶片厚度适当，对波长400-700nm的可见光范围内测试光的透过率在30%以上的SiC晶片。
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、北京聚睿众邦科技有限公司、北京航空航天大学、北京天科合达半导体股份有限公司、北京三平泰克科技有限责任公司
苏飞、闫方亮、彭同华、佘宗静、刘春俊、赵宁、陆敏、郑红军、陈鹏、林雪如、刘祎晨
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
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| T/ZZB 0497-2018 | 声表面波器件用单晶晶片 | 现行 | 2018-08-31 | 2018-09-30 |
| GB/T 16595-2019 | 晶片通用网格规范 | 现行 | 2019-03-25 | 2020-02-01 |
| GZB 6-08-02-05 | 压电石英晶片加工工 | 现行 | 2003-02-08 | 2003-02-08 |
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| T/WLJC 58-2019 | 晶片精密研磨盘用修正轮 | 现行 | 2019-04-22 | 2019-04-22 |
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