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SiC晶片的残余应力检测方法

Experimental method for residual stress in SiC wafers

T/ZSA 38-2020其他标准

现行

更新日期：2026-03-28
晶片应力检测

标准状态

发布日期

2020-12-17

实施日期

2020-12-18

基础信息

标准号

T/ZSA 38-2020

团体名称

中关村标准化协会

标准分类

标准层级

团体标准

主要技术内容

本文件规定了SiC晶片内部残余应力的光学无损检测方法。本文件适用于晶片厚度适当，对波长400-700nm的可见光范围内测试光的透过率在30%以上的SiC晶片。

起草单位

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、北京聚睿众邦科技有限公司、北京航空航天大学、北京天科合达半导体股份有限公司、北京三平泰克科技有限责任公司

起草人

苏飞、闫方亮、彭同华、佘宗静、刘春俊、赵宁、陆敏、郑红军、陈鹏、林雪如、刘祎晨

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