用于功率转化的氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)动态导通电阻测试方法指南

Dynamic on-resistance test method guidelines for Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor (GaN HEMT) based power conversion devices

GB/T 48170-2026推荐性国家标准

即将实施

更新日期:2026-09-19

标准状态

发布日期

2026-08-28

实施日期

2027-03-01

基础信息

标准号

GB/T 48170-2026

是否采用国际标准

该标准采用国际标准

标准分类

中国标准分类号

L40

国际标准分类号

31.080.01

标准层级

国家标准

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