半导体器件 基于感性负载开关应力的氮化镓(GaN)晶体管可靠性试验方法

Semiconductor devices—Reliability test method by inductive load switching stress for gallium nitride(GaN) transistors

GB/T 48168-2026推荐性国家标准

即将实施

更新日期:2026-09-19

标准状态

发布日期

2026-08-28

实施日期

2027-03-01

基础信息

标准号

GB/T 48168-2026

是否采用国际标准

该标准采用国际标准

标准分类

中国标准分类号

L40

国际标准分类号

31.080.01

标准层级

国家标准

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