Semiconductor devices—Reliability test method by inductive load switching stress for gallium nitride(GaN) transistors
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 实施日期 | 相似标准 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 48168-2026 | 半导体器件基于感性负载开关应力的氮化镓（GaN）晶体管可靠性试验方法 | 即将实施 | 2027-03-01 | 相似 |
| GB/T 14048.12-2016 | 低压开关设备和控制设备 第4-3部分：接触器和电动机起动器 非电动机负载用交流半导体控制器和接触器 | 废止 | 2017-07-01 | 相似 |
| GB/T 14048.12-2025 | 低压开关设备和控制设备 第4-3部分：接触器和电动机起动器 非电动机负载用半导体控制器和半导体接触器 | 即将实施 | 2026-05-01 | 相似 |
| GB/T 29489-2013 | 高压交流开关设备和控制设备的感性负载开合 | 现行 | 2013-07-01 | 相似 |
| T/CASAS 052-2025 | 非钳位感性负载开关应力下GaN HEMT在线测试方法 | 现行 | 2025-05-20 | —— |
| GB/Z 107-2025 | 半导体器件基于扫描的半导体器件退化水平评估 | 现行 | 相似 | |
| GB/T 20521.12-2026 | 半导体器件 第14-12部分：半导体传感器 基于CMOS成像的气体传感器的性能测试方法 | 即将实施 | 2027-03-01 | 相似 |
| GB/T 12565-1990 | 半导体器件 光电子器件分规范 (可供认证用) | 现行 | 1991-10-01 | 相似 |
| GB/T 36359-2018 | 半导体光电子器件 小功率发光二极管空白详细规范 | 现行 | 2019-01-01 | 相似 |
| GB/T 43366-2023 | 宇航用半导体分立器件通用规范 | 现行 | 2024-03-01 | 相似 |
| GB/T 6571-1995 | 半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 | 现行 | 1996-04-01 | 相似 |
| GB/T 4586-1994 | 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 | 现行 | 1995-08-01 | 相似 |
| GB/T 15651-1995 | 半导体器件 分立器件和集成电路 第5部分:光电子器件 | 现行 | 1996-04-01 | 相似 |
| GB/T 18904.3-2002 | 半导体器件 第12-3部分:光电子器件 显示用发光二极管空白详细规范 | 现行 | 2003-05-01 | 相似 |
| GB/T 7581-1987 | 半导体分立器件外形尺寸 | 现行 | 1987-11-01 | 相似 |
| GB/T 5839-1986 | 电子管和半导体器件额定值制 | 现行 | 1986-12-01 | 相似 |
| GB/T 5965-2000 | 半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路 第一篇 双极型单片数字集成电路门电路(不包括自由逻辑阵列) 空白详细规范 | 现行 | 2000-07-01 | 相似 |
| GB/T 6588-2000 | 半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 第1篇 信号二极管、开关二极管和可控雪崩二极管空白详细规范 | 现行 | 2001-10-01 | 相似 |