现行
2019-05-02
2019-11-01
JC/T 2516-2019
工业和信息化部
制定
Q32
ICS 81.060.30
采矿业
产品标准
建材
行业标准
69814-2019
2019-06-26
本标准规定了砂磨机用反应烧结碳化硅内衬的产品分类、技术要求、检验方法、检验规则及标志、包装、运输和储存。本标准适用于湿式研磨砂磨机用反应烧结碳化硅内衬。
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| JC/T 2796-2023 | 碳化硅单晶用高纯石墨粉 | 现行 | 2023-12-20 | 2024-07-01 |
| JC/T 2783-2023 | 石墨中碳化硅含量的测定方法 | 现行 | 2023-12-20 | 2024-07-01 |
| GB/T 47404-2026 | 碳化硅单晶 | 即将实施 | ||
| T/IAWBS 001-2017 | 碳化硅单晶 | 现行 | 2017-12-20 | 2017-12-31 |
| T/IAWBS 002-2017 | 碳化硅外延片表面缺陷测试方法 | 现行 | 2017-12-20 | 2017-12-31 |
| T/IAWBS 003-2017 | 碳化硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法 | 现行 | 2017-12-20 | 2017-12-31 |
| T/ZZB 0686-2018 | 高性能无压烧结碳化硅密封环 | 现行 | 2018-11-02 | 2018-11-30 |
| T/IAWBS 006-2018 | 碳化硅混合模块测试方法 | 现行 | 2018-12-06 | 2018-12-17 |
| T/IAWBS 007-2018 | 4H 碳化硅同质外延层厚度的红外反射测量方法 | 现行 | 2018-12-06 | 2018-12-17 |
| T/IAWBS 013-2019 | 半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/IAWBS 014-2021 | 碳化硅单晶抛光片位错密度的测试方法 | 现行 | 2021-09-15 | 2021-09-22 |
| T/IAWBS 001-2021 | 碳化硅单晶 | 现行 | 2021-09-16 | 2021-09-23 |
| T/CASAS 013-2021 | 碳化硅晶片位错密度检测方法 KOH腐蚀结合图像识别法 | 现行 | 2021-11-01 | 2021-12-01 |
| T/IAWBS 016-2022 | 碳化硅单晶片 X 射线双晶摇 摆曲线半高宽测试方法 | 现行 | 2022-03-17 | 2022-03-24 |
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