Gallium arsenide epitaxial layer - determination of carrier concentration voltage-capacitance method
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| JB/T 5631-1991 | 半导体器件外延炉能耗分等 | 废止 | 1991-08-27 | 1992-07-01 |
| YS/T 24-1992 | 外延钉缺陷的检验方法 | 废止 | 1992-03-09 | 1993-01-01 |
| YS/T 23-1992 | 硅外延层厚度测定堆垛层错尺寸法 | 废止 | 1992-03-09 | 1993-01-01 |
| YS/T 15-1991 | 硅外延层和扩散层厚度测定磨角染色法 | 废止 | 1991-04-26 | 1992-06-01 |
| YS/T 14-1991 | 导质外延层和硅夕晶层厚度测量方法 | 废止 | 1991-04-26 | 1992-06-01 |
| DB13/T 5118-2019 | 4H 碳化硅 N 型同质外延片通用技术要求 | 废止 | 2019-11-28 | 2019-12-28 |
| GB/T 14142-1993 | 硅外延层晶体完整性检查方法 腐蚀法 | 废止 | 1993-02-06 | 1993-10-01 |
| GB/T 14139-2009 | 硅外延片 | 废止 | 2009-10-30 | 2010-06-01 |
| GB/T 30652-2014 | 硅外延用三氯氢硅 | 废止 | 2014-12-31 | 2015-09-01 |
| GB/T 47917-2026 | 300mm硅外延片 | 即将实施 | 2026-07-02 | 2027-02-01 |
| T/CASAS 003-2018 | p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片 | 现行 | 2018-11-20 | 2018-11-20 |
| T/CASAS 004.1-2018 | 4H碳化硅衬底及外延层缺陷术语 | 现行 | 2018-11-20 | 2018-11-20 |
| T/CASAS 004.2-2018 | 4H碳化硅衬底及外延层缺陷图谱 | 现行 | 2018-11-20 | 2018-11-20 |
| T/IAWBS 007-2018 | 4H 碳化硅同质外延层厚度的红外反射测量方法 | 现行 | 2018-12-06 | 2018-12-17 |
| T/IAWBS 002-2017 | 碳化硅外延片表面缺陷测试方法 | 现行 | 2017-12-20 | 2017-12-31 |
| YS/T 1745-2025 | 分子束外延（MBE）用高纯铝源 | 现行 | 2025-04-10 | 2025-11-01 |
| T/CNIA 0061-2020 | 硅外延用四氯化硅中杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法 | 现行 | 2020-05-27 | 2020-08-01 |
| T/ICMTIA SM006-2021 | 集成电路线宽65nm-14nm逻辑工艺用300mm P/P-型硅外延片 | 现行 | 2021-05-31 | 2021-07-30 |