Gallium arsenide epitaxial layer - determination of carrier concentration voltage-capacitance method
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 14139-2019 | 硅外延片 | 现行 | 2019-06-04 | 2020-05-01 |
| GB/T 42905-2023 | 碳化硅外延层厚度的测试 红外反射法 | 现行 | 2023-08-06 | 2024-03-01 |
| GB/T 30652-2023 | 硅外延用三氯氢硅 | 现行 | 2023-08-06 | 2024-03-01 |
| GB/T 43493.1-2023 | 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分：缺陷分类 | 现行 | 2023-12-28 | 2024-07-01 |
| GB/T 43493.2-2023 | 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法 | 现行 | 2023-12-28 | 2024-07-01 |
| GB/T 43493.3-2023 | 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分：缺陷的光致发光检测方法 | 现行 | 2023-12-28 | 2024-07-01 |
| GB/T 30653-2014 | Ⅲ族氮化物外延片结晶质量测试方法 | 现行 | 2014-12-31 | 2015-09-01 |
| GB/T 14142-2017 | 硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法 | 现行 | 2017-09-29 | 2018-04-01 |
| GB/T 43885-2024 | 碳化硅外延片 | 现行 | 2024-04-25 | 2024-11-01 |
| GB/T 14847-2010 | 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法 | 废止 | 2011-01-10 | 2011-10-01 |
| GB/T 29056-2012 | 硅外延用三氯氢硅化学分析方法 硼、铝、磷、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、钼、砷和锑量的测定 电感耦合等离子体质谱法 | 废止 | 2012-12-31 | 2013-10-01 |
| SJ/T 10481-1994 | 硅外延层电阻率的面接触三探针方法 | 现行 | 1994-04-11 | 1994-10-01 |
| SJ/T 11275-2002 | 卧式液相外延系统通用规范 | 现行 | 2002-10-30 | 2003-03-01 |
| GB/T 14141-2009 | 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法 | 现行 | 2009-10-30 | 2010-06-01 |
| YS/T 23-2016 | 硅外延层厚度测定 堆垛层错尺寸法 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| GB/T 35308-2017 | 太阳能电池用锗基Ⅲ-Ⅴ族化合物外延片 | 现行 | 2017-12-29 | 2018-07-01 |
| YS/T 24-2016 | 外延钉缺陷的检验方法 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| GB/T 42902-2023 | 碳化硅外延片表面缺陷的测试 激光散射法 | 现行 | 2023-08-06 | 2024-03-01 |