Gallium arsenide epitaxial layer - determination of carrier concentration voltage-capacitance method
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| T/CASAS 005-2022 | 用于硬开关电路的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测试方法 | 现行 | 2022-09-16 | 2022-09-16 |
| T/CASAS 035-2024 | 用于第三象限续流的氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)动态导通电阻测试方法 | 现行 | 2024-09-30 | 2024-09-30 |
| T/CASAS 034-2024 | 用于零电压软开通电路的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测试方法 | 现行 | 2024-09-30 | 2024-09-30 |
| T/IAWBS 015-2021 | 氧化镓单晶片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法 | 现行 | 2021-09-15 | 2021-09-22 |
| YS/T 1654-2023 | 氮化镓化学分析方法 痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法 | 现行 | 2023-12-20 | 2024-07-01 |
| YS/T 1653-2023 | 氮化镓衬底片 | 现行 | 2023-12-20 | 2024-07-01 |
| SJ/T 11396-2009 | 氮化镓基发光二极管蓝宝石衬底片 | 废止 | 2009-11-17 | 2010-01-01 |
| GB/T 20229-2006 | 磷化镓单晶 | 废止 | 2006-04-21 | 2006-10-01 |
| T/GDC 69-2020 | 氮化镓充电器 | 现行 | 2020-09-11 | 2020-09-15 |
| T/GDC 69-2020 | 氮化镓充电器 | 现行 | 2020-09-11 | 2020-09-15 |
| GB/T 48170-2026 | 用于功率转化的氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）动态导通电阻测试方法指南 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 48168-2026 | 半导体器件 基于感性负载开关应力的氮化镓（GaN）晶体管可靠性试验方法 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 30654-2014 | Ⅲ族氮化物外延片晶格常数测试方法 | 现行 | 2014-12-31 | 2015-09-01 |
| GB/T 30655-2014 | 氮化物LED外延片内量子效率测试方法 | 现行 | 2014-12-31 | 2015-09-01 |
| GB/T 14015-1992 | 硅-蓝宝石外延片 | 现行 | 1992-12-28 | 1993-08-01 |
| GB/T 44334-2024 | 埋层硅外延片 | 现行 | 2024-08-23 | 2025-03-01 |
| GB/T 24575-2009 | 硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法 | 现行 | 2009-10-30 | 2010-06-01 |
| GB/T 30110-2013 | 空间红外探测器碲镉汞外延材料参数测试方法 | 现行 | 2013-12-17 | 2014-05-15 |