| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| YS/T 602-2017 | 区熔锗锭电阻率测试方法 两探针法 | 现行 | 2017-07-07 | 2018-01-01 |
| SJ/T 10481-1994 | 硅外延层电阻率的面接触三探针方法 | 现行 | 1994-04-11 | 1994-10-01 |
| YS/T 602-2007 | 区熔锗锭电阻率测试方法 两探针法 | 废止 | 2007-11-14 | 2008-05-01 |
| GB/T 42271-2022 | 半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法 | 现行 | 2022-12-30 | 2023-04-01 |
| GB/T 13389-2014 | 掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程 | 现行 | 2014-12-31 | 2015-09-01 |
| T/IAWBS 013-2019 | 半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/IAWBS 011-2019 | 导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| JJF 1760-2019 | 硅单晶电阻率标准样片校准规范 | 现行 | 2019-09-27 | 2020-03-27 |
| GB/T 1551-2009 | 硅单晶电阻率测定方法 | 废止 | 2009-10-30 | 2010-06-01 |
| GB/T 11297.7-1989 | 锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法 | 现行 | 1989-03-31 | 1990-01-01 |
| T/IAWBS 011-2019 | 导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/IAWBS 013-2019 | 半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| DB/T 29.1-2008 | 地震观测仪器进网技术要求 地电观测仪 第1部分：直流地电阻率仪 | 现行 | 2008-08-11 | 2008-12-01 |
| GB/T 5654-2007 | 液体绝缘材料 相对电容率、介质损耗因数和直流电阻率的测量 | 现行 | 2007-12-03 | 2008-05-20 |
| DB/T 91-2022 | 直流地电阻率仪检测规范 | 现行 | 2022-12-29 | 2023-05-01 |
| NB/T 10549-2021 | 采煤工作面底板注浆效果直流电阻率探测方法 | 现行 | 2021-01-07 | 2021-04-01 |
| GB/T 2951.51-2008 | 电缆和光缆绝缘和护套材料通用试验方法 第51部分：填充膏专用试验方法 滴点 油分离 低温脆性 总酸值 腐蚀性 23℃时的介电常数 23℃和100℃时的直流电阻率 | 现行 | 2008-06-26 | 2009-04-01 |
| DB13/T 5537-2022 | 向列相热致液晶单体电阻率的测定 直流电压法 | 废止 | 2022-02-28 | 2022-03-31 |