| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| T/CCGA 30007-2022 | 电子级三氟化氯 | 现行 | 2022-12-28 | 2023-03-01 |
| T/CI 457-2024 | 电子级多晶硅用聚乙烯包装材料技术规范 | 现行 | 2024-08-15 | 2024-08-15 |
| SJ/T 12052-2025 | 电子级乙硅烷 | 即将实施 | 2025-12-19 | 2026-07-01 |
| JC/T 3045-2026 | 量子级金刚石氮-空位色心浓度检测方法 荧光光子计数法 | 即将实施 | 2026-06-01 | 2026-12-01 |
| GB/T 5095.2-1997 | 电子设备用机电元件 基本试验规程及测量方法 第2部分:一般检查、电连续性和接触电阻测试、绝缘试验和电压应力试验 | 现行 | 1997-12-26 | 1998-10-01 |
| SJ/T 10095-1991 | 电子产品用氢气电阻炉测试方法 | 现行 | 1991-04-08 | 1991-07-01 |
| T/CASAS 005-2022 | 用于硬开关电路的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测试方法 | 现行 | 2022-09-16 | 2022-09-16 |
| T/CASAS 035-2024 | 用于第三象限续流的氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)动态导通电阻测试方法 | 现行 | 2024-09-30 | 2024-09-30 |
| T/CASAS 034-2024 | 用于零电压软开通电路的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测试方法 | 现行 | 2024-09-30 | 2024-09-30 |
| GB/T 48170-2026 | 用于功率转化的氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）动态导通电阻测试方法指南 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| SJ/T 10092-1991 | 电子产品用真空电阻炉测试条件 | 现行 | 1991-04-08 | 1991-07-01 |
| GB/T 2470-1995 | 电子设备用固定电阻器、固定电容器型号命名方法 | 现行 | 1995-12-22 | 1996-08-01 |
| GB/T 2470-2026 | 电子设备用固定电阻器和固定电容器型号命名方法 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 1424-1996 | 贵金属及其合金材料电阻系数测试方法 | 现行 | 1996-11-04 | 1997-04-01 |
| GB/T 19248-2003 | 封装引线电阻测试方法 | 现行 | 2003-07-02 | 2003-10-01 |
| GB/T 15717-2021 | 真空金属镀层厚度测试方法 电阻法 | 现行 | 2021-10-11 | 2022-05-01 |
| JB/T 7129-2008 | 米电阻连续测试方法 | 现行 | 2008-02-01 | 2008-07-01 |
| JB/T 8537-2023 | 粉尘比电阻实验室测试方法 | 现行 | 2023-05-22 | 2023-11-01 |