Organic light emitting diode displays—Part 6-2: Test methods—Visual quality and ambient performance
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| SJ/T 10063-1991 | BT62型硅PIN开关二极管 | 现行 | 1991-04-08 | 1991-07-01 |
| SJ/T 11818.1-2022 | 半导体紫外发射二极管 第1部分：测试方法 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| SJ/T 11818.2-2022 | 半导体紫外发射二极管 第2部分：芯片规范 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| SJ/T 10061-1991 | 2CV3型硅肖特基势垒混频二极管 | 现行 | 1991-04-08 | 1991-07-01 |
| GB/T 30241.1-2013 | 齐纳二极管安全栅 第1部分：通用技术条件 | 现行 | 2013-12-31 | 2014-07-01 |
| T/CPIA 0052-2023 | 光伏组件接线盒用模块二极管 | 现行 | 2023-10-15 | 2023-10-30 |
| SJ/T 2214-2015 | 半导体光电二极管和光电晶体管测试方法 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| SJ/T 2658.6-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第6部分：辐射功率 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| SJ/T 2658.5-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第5部分：串联电阻 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| SJ/T 2658.10-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第10部分：调制带宽 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| SJ/T 2658.4-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第4部分：总电容 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| SJ/T 2216-2015 | 硅光电二极管技术规范 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| SJ/T 2658.7-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第7部分：辐射通量 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| SJ/T 2658.2-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第2部分：正向电压 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| SJ/T 2658.1-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第1部分：总则 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| SJ/T 2658.12-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第12部分：峰值发射波长和光谱辐射带宽 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| SJ/T 2354-2015 | ＰＩＮ、雪崩光电二极管测试方法 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| SJ/T 2658.8-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第8部分：辐射强度 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |