Test method for crystallographic perfection of epitaxial layers in silicon—Etching technique
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| T/CASAS 003-2018 | p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片 | 现行 | 2018-11-20 | 2018-11-20 |
| T/CASAS 004.1-2018 | 4H碳化硅衬底及外延层缺陷术语 | 现行 | 2018-11-20 | 2018-11-20 |
| T/CASAS 004.2-2018 | 4H碳化硅衬底及外延层缺陷图谱 | 现行 | 2018-11-20 | 2018-11-20 |
| T/IAWBS 003-2017 | 碳化硅外延层载流子浓度测定_汞探针电容-电压法 | 现行 | 2017-12-20 | 2017-12-31 |
| YS/T 1745-2025 | 分子束外延（MBE）用高纯铝源 | 现行 | 2025-04-10 | 2025-11-01 |
| T/CNIA 0061-2020 | 硅外延用四氯化硅中杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法 | 现行 | 2020-05-27 | 2020-08-01 |
| T/ICMTIA SM006-2021 | 集成电路线宽65nm-14nm逻辑工艺用300mm P/P-型硅外延片 | 现行 | 2021-05-31 | 2021-07-30 |
| T/ZJATA 0017-2023 | 制备碳化硅半导体材料用化学气相沉积法(CVD)外延设备 | 现行 | 2023-06-20 | 2023-07-20 |
| ZJM-002-3547-2023 | 高压MOSFET用200 mm硅外延片 | 现行 | 2023-11-07 | 2023-11-07 |
| SN/T 1175-2003 | 进出口薄膜晶体管彩色液晶显示器检验方法 | 废止 | 2003-03-17 | 2003-09-01 |
| QX/T 65-2007 | 地面气象观测规范 第21部分：缺损纪录的处理和不完整记录的统计 | 现行 | 2007-06-22 | 2007-10-01 |
| GB/T 27935.1-2016 | 印刷技术 印前数据交换 PDF的使用 第1部分：使用CMYK数据的完整数据交换(PDF/X-1和PDF/X-1a) | 现行 | 2016-12-13 | 2017-07-01 |
| GB/T 45788.1-2025 | 金属材料电阻焊质量要求 第1部分：完整质量要求 | 现行 | 2025-05-30 | 2025-12-01 |
| GB/T 27935.3-2011 | 印刷技术 印前数据交换 PDF的使用 第3部分：颜色管理工作流程中的完整数据交换(PDF/X-3) | 现行 | 2011-12-30 | 2012-03-01 |
| GB/T 12467.2-2009 | 金属材料熔焊质量要求 第2部分：完整质量要求 | 现行 | 2009-10-30 | 2010-04-01 |
| DB42/T 2277-2024 | 完整居住社区建设标准 | 现行 | 2024-09-22 | 2025-01-22 |
| DB21/T 4391-2026 | 完整社区建设规程 | 现行 | 2026-01-07 | 2026-02-07 |
| GB/T 45581-2025 | 完整社区设施服务指南 | 现行 | 2025-04-25 | 2025-08-01 |