Test methods for photoluminescence analysis of single crystal silicon for III-V impurities
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 37946.2-2025 | 有机发光材料测试方法 第2部分：热学性能 | 现行 | 2025-08-01 | 2026-02-01 |
| GB/T 46135.3-2025 | 有机发光电子/空穴功能材料测试方法 第3部分：纯度 | 即将实施 | 2025-10-05 | 2026-05-01 |
| GB/T 46135.2-2025 | 有机发光电子/空穴功能材料测试方法 第2部分：光学性能 | 即将实施 | 2025-10-05 | 2026-05-01 |
| GB/T 46135.1-2025 | 有机发光电子/空穴功能材料测试方法 第1部分：热学性能 | 即将实施 | 2025-10-05 | 2026-05-01 |
| GB/T 37946.1-2025 | 有机发光材料测试方法 第1部分：光学测试 | 即将实施 | 2025-10-31 | 2026-05-01 |
| T/CSA 048-2019 | 普通照明用发光二极管变电流/温度 光电特性测试方法 | 现行 | 2019-12-30 | 2019-12-30 |
| T/CSA 047-2019 | 发光二极管热阻抗测试方法 | 现行 | 2019-12-30 | 2019-12-30 |
| T/CPIA 0020-2020 | 晶体硅光伏电池电致发光测试方法 | 现行 | 2020-03-10 | 2020-03-20 |
| T/CPIA 0009-2019 | 电致发光成像测试晶体硅光伏组件缺陷的方法 | 现行 | 2019-01-28 | 2019-03-01 |
| SJ/T 11471-2014 | 发光二极管外延片测试方法 | 现行 | 2014-10-14 | 2015-04-01 |
| SJ/T 11399-2009 | 半导体发光二极管芯片测试方法 | 现行 | 2009-11-17 | 2010-01-01 |
| SJ/T 11461.6.2-2016 | 有机发光二极管显示器件 第6-2部分：测试方法-视觉质量 | 现行 | 2016-10-22 | 2017-01-01 |
| SJ/T 11460.6.4-2023 | 显示光源组件 第 6-4 部分：测试方法 LED 发光板光电参数 | 现行 | 2023-08-16 | 2023-11-01 |
| SJ/T 11577-2016 | SJ/T 11394-2009 《半导体发光二极管测试方法》应用指南 | 现行 | 2016-01-15 | 2016-06-01 |
| SJ/T 11394-2009 | 半导体发光二极管测试方法 | 现行 | 2009-11-17 | 2010-01-01 |
| GB/T 37945-2019 | 有机发光二极管显示器用材料 玻璃化转变温度测试方法 差热法 | 废止 | 2019-08-30 | 2019-12-01 |
| GB/T 37946-2019 | 有机发光二极管显示器用材料热稳定性的测试方法 | 废止 | 2019-08-30 | 2019-12-01 |
| SJ/T 11461.5.3-2016 | 有机发光二极管显示器件 第5-3部分：残像和寿命的测试方法 | 废止 | 2016-01-15 | 2016-06-01 |