Photovoltaic devices—Part 11: Test method of initial light-induced degradation of crystalline silicon solar cell
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 46789-2025 | 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的可动离子试验 | 即将实施 | 2025-12-02 | 2026-07-01 |
| T/CEC 155-2018 | 柔性输电用压接型绝缘栅双极晶体管 （IGBT）器件的一般要求 | 现行 | 2018-01-24 | 2018-04-01 |
| T/CEC 155-2018 | 柔性输电用压接型绝缘栅双极晶体管（IGBT)器件的一般要求 | 现行 | 2018-01-24 | 2018-04-01 |
| T/CECA 50-2021 | 石英晶体元器件用导电胶粘剂 | 现行 | 2021-06-28 | 2021-07-05 |
| SJ/T 12032-2025 | 半导体器件 分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管电参数测试方法 | 现行 | 2025-09-09 | 2026-03-01 |
| SJ/T 12067-2025 | 半导体器件 分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管门类规范 | 现行 | 2025-12-19 | 2026-07-01 |
| SJ/T 12068-2025 | 半导体器件 分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性试验方法 | 现行 | 2025-12-19 | 2026-07-01 |
| GB/T 48168-2026 | 半导体器件 基于感性负载开关应力的氮化镓（GaN）晶体管可靠性试验方法 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| NY/T 1914-2010 | 农村太阳能光伏室外照明装置 第2部分：安装规范 | 现行 | 2010-07-08 | 2010-09-01 |
| NY/T 1146.1-2006 | 家用太阳能光伏系统 第1部分：技术条件 | 现行 | 2006-07-10 | 2006-10-01 |
| SN/T 3326.9-2016 | 进出口照明器具检验技术要求 第9部分：太阳能光伏照明装置 | 现行 | 2016-03-09 | 2016-10-01 |
| NY/T 1146.2-2006 | 家用太阳能光伏系统 第2部分：试验方法 | 现行 | 2006-07-10 | 2006-10-01 |
| NY/T 1913-2010 | 农村太阳能光伏室外照明装置 第1部分：技术要求 | 现行 | 2010-07-08 | 2010-09-01 |
| GB/T 13539.6-2024 | 低压熔断器 第6部分：太阳能光伏系统保护用熔断体的补充要求 | 现行 | 2024-04-25 | 2024-11-01 |
| GB/T 16895.32-2021 | 低压电气装置 第7-712部分：特殊装置或场所的要求 太阳能光伏（PV）电源系统 | 现行 | 2021-04-30 | 2021-11-01 |
| GB/T 16895.32-2008 | 建筑物电气装置 第7-712部分：特殊装置或场所的要求 太阳能光伏(PV)电源供电系统 | 废止 | 2008-12-15 | 2010-02-01 |
| GB/T 13539.6-2013 | 低压熔断器 第6部分：太阳能光伏系统保护用熔断体的补充要求 | 废止 | 2012-12-11 | 2013-07-01 |
| T/CSA 066-2020 | 类太阳光LED器件 | 现行 | 2020-12-14 | 2020-12-14 |