Photovoltaic devices—Part 11: Test method of initial light-induced degradation of crystalline silicon solar cell
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| SJ/T 11225-2000 | 电子元器件详细规范 3DA504型S波段硅脉冲功率晶体管 | 现行 | 2000-08-16 | 2000-10-01 |
| SJ/T 11226-2000 | 电子元器件详细规范 3DA505型L波段硅脉冲功率晶体管 | 现行 | 2000-08-16 | 2000-10-01 |
| GB/T 14077-1993 | 双折射晶体和偏振器件测试规范 | 现行 | 1993-02-06 | 1993-08-01 |
| GB/T 6217-2026 | 半导体分立器件 小功率双极型晶体管空白详细规范 | 即将实施 | 2026-03-31 | 2026-10-01 |
| GB/T 7576-2026 | 半导体分立器件 大功率双极型晶体管空白详细规范 | 即将实施 | 2026-03-31 | 2026-10-01 |
| SJ/T 1480-2016 | 半导体分立器件 3CG130型硅PNP高频小功率晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| SJ/T 1833-2016 | 半导体分立器件 3DK103型NPN硅小功率开关晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| SJ/T 1826-2016 | 半导体分立器件 3DK100型NPN硅小功率开关晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| SJ/T 1834-2016 | 半导体分立器件 3DK104型NPN硅小功率开关晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| SJ/T 1486-2016 | 半导体分立器件 3CG180型硅PNP高频高反压小功率晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| SJ/T 1472-2016 | 半导体分立器件 3CG110型硅PNP高频小功率晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| SJ/T 1838-2016 | 半导体分立器件 3DK29型NPN硅小功率开关晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| SJ/T 1832-2016 | 半导体分立器件 3DK102型NPN硅小功率开关晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| SJ/T 1477-2016 | 半导体分立器件 3CG120型硅PNP高频小功率晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| SJ/T 1830-2016 | 半导体分立器件 3DK101型NPN硅小功率开关晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| SJ/T 1839-2016 | 半导体分立器件 3DK108型NPN硅小功率开关晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| SJ/T 1831-2016 | 半导体分立器件 3DK28型NPN硅小功率开关晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| GZB 6-08-02-06 | 石英晶体元器件制造工 | 现行 | 2003-02-08 | 2003-02-08 |