Photovoltaic devices—Part 11: Test method of initial light-induced degradation of crystalline silicon solar cell
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 6495.2-1996 | 光伏器件 第2部分:标准太阳电池的要求 | 废止 | 1996-07-09 | 1997-01-01 |
| SJ/T 11209-1999 | 光伏器件 第6部分 标准太阳电池组件的要求 | 废止 | 1999-08-26 | 1999-12-01 |
| GB/T 6495.9-2025 | 光伏器件 第9部分：太阳模拟器特性分级 | 即将实施 | 2025-12-31 | 2026-07-01 |
| T/CPIA 0068-2024 | 适用于钙钛矿光伏器件的太阳模拟器性能要求 | 现行 | 2024-03-10 | 2024-03-15 |
| T/CI 973-2025 | 钙钛矿光伏器件测试用稳态太阳模拟器技术规范 | 现行 | 2025-04-21 | 2025-04-21 |
| GB/T 16517-1996 | 石英晶体元件 电子元器件质量评定体系规范 第3部分:分规范 鉴定批准 | 现行 | 1996-09-09 | 1997-05-01 |
| GB/T 16516-1996 | 石英晶体元件 电子元器件质量评定体系规范 第2部分:分规范 能力批准 | 现行 | 1996-09-09 | 1996-05-01 |
| GB/T 4586-1994 | 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 | 现行 | 1994-12-30 | 1995-08-01 |
| GB/T 21039.1-2007 | 半导体器件 分立器件 第4-1部分：微波二极管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范 | 现行 | 2007-06-29 | 2007-11-01 |
| GB/T 6352-1998 | 半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第一篇 100A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范 | 现行 | 1998-11-17 | 1999-06-01 |
| GB/T 29332-2012 | 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) | 现行 | 2012-12-31 | 2013-06-01 |
| GB/T 12273.501-2012 | 石英晶体元件 电子元器件质量评定体系规范 第5.1部分：空白详细规范 鉴定批准 | 现行 | 2012-11-05 | 2013-02-15 |
| GB/T 15651.7-2024 | 半导体器件 第5-7部分：光电子器件 光电二极管和光电晶体管 | 现行 | 2024-03-15 | 2024-07-01 |
| GB/T 4587-2023 | 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管 | 现行 | 2023-09-07 | 2024-04-01 |
| GB/T 7576-1998 | 半导体器件 分立器件 第7部分:双极型晶体管 第四篇 高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范 | 现行 | 1998-11-17 | 1999-06-01 |
| GB/T 6219-1998 | 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第一篇 1 GHz、5 W以下的单栅场效应晶体管 空白详细规范 | 现行 | 1998-11-17 | 1999-06-01 |
| GB/T 6217-1998 | 半导体器件 分立器件 第7部分:双极型晶体管 第一篇 高低频放大环境额定的双极型晶体管空白详细规范 | 现行 | 1998-11-17 | 1999-06-01 |
| GB/T 6590-1998 | 半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第二篇 100A以下环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范 | 现行 | 1998-11-17 | 1999-06-01 |