Semiconductor devices—Flexible and stretchable semiconductor devices—Part 9: Performance testing methods of one transistor and one resistor (1T1R) resistive memory cells
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 20870.1-2026 | 半导体器件 第16-1部分 : 微波集成电路 放大器 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 20870.7-2026 | 半导体器件 第16-7部分：微波集成电路 衰减器 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 48164.2-2026 | 半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第2部分：体二极管工作引起双极退化的试验方法 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 48164.1-2026 | 半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第1部分：偏置温度不稳定性试验方法 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 12565-1990 | 半导体器件 光电子器件分规范 (可供认证用) | 现行 | 1990-12-12 | 1991-10-01 |
| GB/T 36359-2018 | 半导体光电子器件 小功率发光二极管空白详细规范 | 现行 | 2018-06-07 | 2019-01-01 |
| GB/T 43366-2023 | 宇航用半导体分立器件通用规范 | 现行 | 2023-11-27 | 2024-03-01 |
| GB/T 7581-1987 | 半导体分立器件外形尺寸 | 现行 | 1987-03-27 | 1987-11-01 |
| GB/T 5839-1986 | 电子管和半导体器件额定值制 | 现行 | 1986-01-29 | 1986-12-01 |
| GB/T 13150-2005 | 半导体器件 分立器件 电流大于 100A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管空白详细规范 | 现行 | 2005-03-23 | 2005-10-01 |
| GB/T 44181-2024 | 空间环境 宇航用半导体器件在轨单粒子翻转率预计方法 | 现行 | 2024-07-24 | 2024-07-24 |
| DB61/T 1448-2021 | 大功率半导体分立器件间歇寿命试验规程 | 废止 | 2021-03-22 | 2021-04-22 |
| GB/T 2900.66-2004 | 电工术语 半导体器件和集成电路 | 现行 | 2004-05-10 | 2004-12-01 |
| GB/T 7423.2-1987 | 半导体器件散热器 型材散热器 | 现行 | 1987-03-16 | 1987-11-01 |
| GB/T 41040-2021 | 宇航用商业现货（COTS）半导体器件 质量保证要求 | 现行 | 2021-12-31 | 2022-07-01 |
| GB/T 11499-2001 | 半导体分立器件文字符号 | 现行 | 2001-11-05 | 2002-06-01 |
| GB/T 2900.32-1994 | 电工术语 电力半导体器件 | 现行 | 1994-05-16 | 1995-01-01 |
| GB/T 12560-1999 | 半导体器件 分立器件分规范 | 现行 | 1999-08-02 | 2000-03-01 |