Standard method for showing andmeasuring dislocation etch pits in indium antimonide single crystal
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 43088-2023 | 微束分析 分析电子显微术 金属薄晶体试样中位错密度的测定方法 | 现行 | 2023-09-07 | 2024-04-01 |
| GB/T 44558-2024 | III族氮化物半导体材料中位错成像的测试 透射电子显微镜法 | 现行 | 2024-09-29 | 2025-04-01 |
| GB/T 11114-1989 | 人造石英晶体位错的X 射线形貌检测方法 | 废止 | 1989-03-31 | 1990-03-01 |
| YS/T 1167-2016 | 硅单晶腐蚀片 | 现行 | 2016-07-11 | 2017-01-01 |
| GB/T 30868-2014 | 碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法 | 废止 | 2014-07-24 | 2015-02-01 |
| GB/T 4326-2006 | 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 | 废止 | 2006-07-18 | 2006-11-01 |
| GB/T 30118-2013 | 声表面波（SAW）器件用单晶晶片规范与测量方法 | 现行 | 2013-12-17 | 2014-05-15 |
| SJ/T 10625-1995 | 锗单晶中间隙氧含量的红外吸收测量方法 | 现行 | 1995-04-22 | 1995-10-01 |
| SJ/T 11207-1999 | 钇铁石榴石单晶磁性薄膜磁特性的测量方法 | 现行 | 1999-08-26 | 1999-12-01 |
| GB/T 26074-2010 | 锗单晶电阻率直流四探针测量方法 | 现行 | 2011-01-10 | 2011-10-01 |
| GB/T 4326-2025 | 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 | 即将实施 | 2025-10-31 | 2026-05-01 |
| T/IAWBS 013-2019 | 半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/IAWBS 011-2019 | 导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| GB/T 24581-2009 | 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法 | 废止 | 2009-10-30 | 2010-06-01 |
| T/IAWBS 011-2019 | 导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/IAWBS 013-2019 | 半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/CECA 83-2023 | 钽酸锂和铌酸锂还原单晶晶片 明度和色差技术要求及测量方法 | 现行 | 2023-06-13 | 2023-06-20 |
| GB/T 30118-2026 | 声表面波（SAW）器件用单晶晶片 规范与测量方法 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |