Test method for resistivity and hall coefficient indium antimonide single crystals
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 11297.7-1989 | 锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法 | 现行 | 1989-03-31 | 1990-01-01 |
| GB/T 42271-2022 | 半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法 | 现行 | 2022-12-30 | 2023-04-01 |
| SJ/T 11488-2015 | 半绝缘砷化镓电阻率、霍尔系数和迁移率测试方法 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| GB/T 1551-2021 | 硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法 | 现行 | 2021-05-21 | 2021-12-01 |
| GB/T 13389-2014 | 掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程 | 现行 | 2014-12-31 | 2015-09-01 |
| GB/T 26074-2010 | 锗单晶电阻率直流四探针测量方法 | 现行 | 2011-01-10 | 2011-10-01 |
| T/IAWBS 013-2019 | 半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/IAWBS 011-2019 | 导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| JJF 1760-2019 | 硅单晶电阻率标准样片校准规范 | 现行 | 2019-09-27 | 2020-03-27 |
| GB/T 1551-2009 | 硅单晶电阻率测定方法 | 废止 | 2009-10-30 | 2010-06-01 |
| T/IAWBS 011-2019 | 导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/IAWBS 013-2019 | 半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| GB/T 19289-2019 | 电工钢带（片）的电阻率、密度和叠装系数的测量方法 | 现行 | 2019-06-04 | 2020-05-01 |
| GB/T 19289-2003 | 电工钢片(带)的密度、电阻率和叠装系数的测量方法 | 废止 | 2003-09-12 | 2004-04-01 |
| DL／T 846.14-2023 | 高电压测试设备通用技术条件 第14部分：绝缘油介质损耗因数及体积电阻率测试仪 | 现行 | 2023-05-26 | 2023-11-26 |
| GB/T 15662-1995 | 导电、防静电塑料体积电阻率测试方法 | 现行 | 1995-08-07 | 1996-04-01 |
| GB/T 4192-1984 | 电真空器件及电光源用钨、钼材料电阻率的测试方法 | 现行 | 1984-03-09 | 1984-11-01 |
| GB/T 6146-2010 | 精密电阻合金电阻率测试方法 | 现行 | 2010-12-01 | 2011-05-01 |