Method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 实施日期 | 相似标准 |
|---|---|---|---|---|
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| GB/T 18904.2-2002 | 半导体器件 第12-2部分:光电子器件 纤维光学系统或子系统用带尾纤的激光二极管模块空白详细规范 | 现行 | 2003-05-01 | 找相似 |
| GB/T 39771.1-2021 | 半导体发光二极管光辐射安全 第1部分：要求与等级分类方法 | 现行 | 2021-10-01 | 找相似 |