碳化硅少数载流子寿命测定微波光电导衰减法

Test method for minority carrier lifetime in silicon carbide—microwave photoconductive decay

T/CASAS 026-2023 制造业

现行

标准状态

发布日期

2023-06-19

实施日期

2023-06-19

基础信息

标准号

T/CASAS 026-2023

团体名称

北京第三代半导体产业技术创新战略联盟

包含专利

否

标准分类

国际标准分类号

31-030

行业分类

C398 电子元件及电子专用材料制造

标准层级

团体标准

主要技术内容

本文件描述了用微波光电导法测定碳化硅少数载流子寿命的方法。本文件适用于少数载流子寿命为20 ns～200 μs的碳化硅晶片的寿命测定及质量评价。

起草单位

山东大学、广州南砂晶圆半导体技术有限公司、瀚天天成电子科技(厦门)有限公司、广东天域半导体股份有限公司、泰科天润半导体科技（北京）有限公司、杭州海乾半导体有限公司、安徽长飞先进半导体有限公司、中国科学院半导体研究所、中电化合物半导体有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟

起草人

杨祥龙、崔潆心、彭燕、徐现刚、来玲玲、于国建、冯淦、丁雄杰、秋琪、林云昊、赵海明、钮应喜、金向军、徐瑞鹏

专题

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