碳化硅混合模块测试方法

Test methods for hybrid silicon carbide modules

T/IAWBS 006-2018制造业

现行

标准状态

发布日期

2018-12-06

实施日期

2018-12-17

基础信息

标准号

T/IAWBS 006-2018

团体名称

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟

包含专利

标准分类

国际标准分类号

29.045

行业分类

C397 电子器件制造

标准层级

团体标准

适用范围

本标准规定了由硅基绝缘栅双极晶体管(IGBT)以及碳化硅肖特基二极管构成的混合功率半导体模块的术语、文字符号、基本额定值和特性以及测试方法等产品特性要求。

主要技术内容

本标准规定了由硅基绝缘栅双极晶体管(IGBT)以及碳化硅肖特基二极管构成的混合功率半导体模块的术语、文字符号、基本额定值和特性以及测试方法等产品特性要求。本标准规定了极限值试验,特性参数测试、耐久性测试,根据特性参数确认模块特性,由此判断是否通过极限值试验。参数包括(集电极-发射极电压VCES, 二极管反向电压VR、集电极-发射极短路时的栅极-发射极电压±VGES、最大集电极电流IC、二极管正向(直流)电流IF、集电极峰值电流ICM、二极管正向峰值电流IFM、反偏安全工作区RBSOA、短路安全工作区1 SCSOA1、二极管正向(不重复)浪涌电流IFSM、端子和底板之间的绝缘电压Visol等)。本标准还规定了检测报告中应给出的信息。

起草单位

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、中国科学院电工研究所、北京天科合达半导体股份有限公司、北京世纪金光半导体有限公司、泰科天润半导体科技(北京)有限公司

起草人

张瑾,仇志杰,陆敏,彭同华,刘振洲,王志超,陈彤,郑红军,林雪如,陈鹏,刘祎晨

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