主要技术内容
本标准规定了200 mm重掺磷直拉硅单晶抛光片的术语和定义、产品分类、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输和贮存、订货单（或合同）内容和质量承诺。本标准适用于以电子级多晶硅为主要原材料，采用直拉法制备的直径为200 mm的硅单晶抛光片。产品主要用于集成电路、分立器件用外延片的衬底。
200 mm heavily phosphorus-doped single crystalline Czochralski silicon polished wafers
现行
2018-10-19
2018-11-01
本标准规定了200 mm重掺磷直拉硅单晶抛光片的术语和定义、产品分类、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输和贮存、订货单（或合同）内容和质量承诺。本标准适用于以电子级多晶硅为主要原材料，采用直拉法制备的直径为200 mm的硅单晶抛光片。产品主要用于集成电路、分立器件用外延片的衬底。
浙江金瑞泓科技股份有限公司、金瑞泓科技（衢州）有限公司
许峰、朱华英、陈平人、田达晰、梁兴勃、刘红方、李方虎、李艳玲
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
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| T/ZZB 0648-2018 | 200 mm重掺磷直拉硅单晶抛光片 | 现行 | 2018-10-19 | 2018-11-01 |
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