| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 44334-2024 | 埋层硅外延片 | 现行 | 2024-08-23 | 2025-03-01 |
| GB/T 14139-2019 | 硅外延片 | 现行 | 2019-06-04 | 2020-05-01 |
| GB/T 43885-2024 | 碳化硅外延片 | 现行 | 2024-04-25 | 2024-11-01 |
| GB/T 42902-2023 | 碳化硅外延片表面缺陷的测试 激光散射法 | 现行 | 2023-08-06 | 2024-03-01 |
| GB/T 35310-2017 | 200mm硅外延片 | 现行 | 2017-12-29 | 2018-07-01 |
| T/ZZB 2833-2022 | 高压MOSFET用200 mm硅外延片 | 现行 | 2022-12-08 | 2022-12-31 |
| T/IAWBS 002-2017 | 碳化硅外延片表面缺陷测试方法 | 现行 | 2017-12-20 | 2017-12-31 |
| GB/T 14139-2009 | 硅外延片 | 废止 | 2009-10-30 | 2010-06-01 |
| GB/T 47917-2026 | 300mm硅外延片 | 即将实施 | 2026-07-02 | 2027-02-01 |
| T/IAWBS 002-2017 | 碳化硅外延片表面缺陷测试方法 | 现行 | 2017-12-20 | 2017-12-31 |
| T/ICMTIA SM006-2021 | 集成电路线宽65nm-14nm逻辑工艺用300mm P/P-型硅外延片 | 现行 | 2021-05-31 | 2021-07-30 |
| ZJM-002-3547-2023 | 高压MOSFET用200 mm硅外延片 | 现行 | 2023-11-07 | 2023-11-07 |
| GB/T 30654-2014 | Ⅲ族氮化物外延片晶格常数测试方法 | 现行 | 2014-12-31 | 2015-09-01 |
| GB/T 30655-2014 | 氮化物LED外延片内量子效率测试方法 | 现行 | 2014-12-31 | 2015-09-01 |
| GB/T 14015-1992 | 硅-蓝宝石外延片 | 现行 | 1992-12-28 | 1993-08-01 |
| GB/T 24575-2009 | 硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法 | 现行 | 2009-10-30 | 2010-06-01 |
| GB/T 43493.1-2023 | 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分：缺陷分类 | 现行 | 2023-12-28 | 2024-07-01 |
| GB/T 43493.2-2023 | 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法 | 现行 | 2023-12-28 | 2024-07-01 |