碳化硅外延片表面缺陷测试方法

Test method of surface defects for silicon carbide epitaxial wafers

T/IAWBS 002-2017 制造业

现行

标准状态

发布日期

2017-12-20

实施日期

2017-12-31

基础信息

标准号

T/IAWBS 002-2017

团体名称

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟

包含专利

标准分类

国际标准分类号

29.045

行业分类

C398 电子元件及电子专用材料制造

标准层级

团体标准

主要技术内容

本标准规定了功率器件用碳化硅外延片表面缺陷的无损光学测量方法。本标准适用于同质的超过(含)2微米厚的碳化硅外延层。

起草单位

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、全球能源互联网研究院有限公司、瀚天天成电子科技(厦门)有限公司、东莞市天域半导体科技有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所、中国电子科技集团公司第二研究所、西安电子科技大学、中国科学院半导体研究所

起草人

钮应喜、杨霏、温家良、吴军民、潘艳、陈志霞、刘丹、冯淦、张新河、田亮、田红林、吴昊、李玲、李永平、张文婷、李嘉琳、焦倩倩、李赟、王英民、贾仁需、刘兴昉、陆敏、彭同华、刘振洲

专题

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