主要技术内容
本文件规定了碳化硅单晶抛光片位错密度的测试方法。本文件适用于晶面偏离{0001}面角度为0°～8°的碳化硅单晶抛光片的位错密度的测试。
Test method for dislocation density of silicon carbide polished wafers
现行
2021-09-15
2021-09-22
T/IAWBS 014-2021
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
否
29.045
C398 电子元件及电子专用材料制造
团体标准
本文件规定了碳化硅单晶抛光片位错密度的测试方法。 本文件适用于晶面偏离{0001}面角度为0°～8°的碳化硅单晶抛光片的位错密度的测试。
本文件规定了碳化硅单晶抛光片位错密度的测试方法。本文件适用于晶面偏离{0001}面角度为0°～8°的碳化硅单晶抛光片的位错密度的测试。
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟，北京天科合达半导体股份有限公司
彭同华、佘宗静、娄艳芳、王大军、赵宁、陈海芹、王波、刘春俊、郭钰、杨建
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 32978-2016 | 碳化硅质高温陶瓷过滤元件 | 现行 | 2016-08-29 | 2017-07-01 |
| SJ/T 11501-2015 | 碳化硅单晶晶型的测试方法 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| JB/T 10988-2023 | 碳化硅特种制品 反应烧结碳化硅 脱硫喷嘴 | 现行 | 2023-12-29 | 2024-07-01 |
| GB/T 42902-2023 | 碳化硅外延片表面缺陷的测试 激光散射法 | 现行 | 2023-08-06 | 2024-03-01 |
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| JB/T 3890-2017 | 碳化硅特种制品 硅碳棒 | 现行 | 2017-11-07 | 2018-04-01 |
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| T/NXCL 011-2022 | 窑具用碳化硅微粉技术规范 | 现行 | 2022-11-18 | 2022-11-18 |
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