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碳化硅单晶抛光片位错密度的测试方法

Test method for dislocation density of silicon carbide polished wafers

T/IAWBS 014-2021制造业

现行

标准状态

发布日期

2021-09-15

实施日期

2021-09-22

基础信息

标准号

T/IAWBS 014-2021

团体名称

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟

包含专利

否

标准分类

国际标准分类号

29.045

行业分类

C398 电子元件及电子专用材料制造

标准层级

团体标准

适用范围

本文件规定了碳化硅单晶抛光片位错密度的测试方法。 本文件适用于晶面偏离{0001}面角度为0°～8°的碳化硅单晶抛光片的位错密度的测试。

主要技术内容

本文件规定了碳化硅单晶抛光片位错密度的测试方法。本文件适用于晶面偏离{0001}面角度为0°～8°的碳化硅单晶抛光片的位错密度的测试。

起草单位

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟，北京天科合达半导体股份有限公司

起草人

彭同华、佘宗静、娄艳芳、王大军、赵宁、陈海芹、王波、刘春俊、郭钰、杨建

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