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本文件规定了碳化硅单晶抛光片位错密度的测试方法。本文件适用于晶面偏离{0001}面角度为0°～8°的碳化硅单晶抛光片的位错密度的测试。
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Test method for dislocation density of silicon carbide polished wafers
现行
2021-09-15
2021-09-22
T/IAWBS 014-2021
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
否
29.045
C398 电子元件及电子专用材料制造
团体标准
本文件规定了碳化硅单晶抛光片位错密度的测试方法。 本文件适用于晶面偏离{0001}面角度为0°～8°的碳化硅单晶抛光片的位错密度的测试。
本文件规定了碳化硅单晶抛光片位错密度的测试方法。本文件适用于晶面偏离{0001}面角度为0°～8°的碳化硅单晶抛光片的位错密度的测试。
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟，北京天科合达半导体股份有限公司
彭同华、佘宗静、娄艳芳、王大军、赵宁、陈海芹、王波、刘春俊、郭钰、杨建
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
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