主要技术内容
本文件规定了高压MOSFET用200 mm硅外延片（以下简称硅外延片）的术语和定义、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、 质量证明书、 运输和贮存及质量承诺。本文件适用于直径为200 mm、外延层厚度为40 μm～80 μm、在n型重掺砷硅抛光片上生长n型掺磷外延层、晶向的硅外延片。产品主要用于制作高压金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET） 器件（简称高压MOSFET） 。
200 mm silicon epitaxial wafers for high voltage MOSFET
现行
2022-12-08
2022-12-31
T/ZZB 2833-2022
浙江省品牌建设联合会
否
H82
29.045
C398 电子元件及电子专用材料制造
团体标准
本文件规定了高压MOSFET用200 mm硅外延片（以下简称硅外延片）的术语和定义、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、 质量证明书、 运输和贮存及质量承诺。本文件适用于直径为200 mm、外延层厚度为40 μm～80 μm、在n型重掺砷硅抛光片上生长n型掺磷外延层、晶向的硅外延片。产品主要用于制作高压金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET） 器件（简称高压MOSFET） 。
浙江金瑞泓科技股份有限公司、金瑞泓科技（衢州）有限公司
许峰、李慎重、李刚、刘红方、朱华英、李方虎、李艳玲
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 35310-2017 | 200mm硅外延片 | 现行 | 2017-12-29 | 2018-07-01 |
| GB/T 11068-2006 | 砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法 | 现行 | 2006-07-18 | 2006-11-01 |
| GB/T 14146-2021 | 硅外延层载流子浓度的测试 电容-电压法 | 现行 | 2021-05-21 | 2021-12-01 |
| YS/T 24-2016 | 外延钉缺陷的检验方法 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| SJ/T 11275-2002 | 卧式液相外延系统通用规范 | 现行 | 2002-10-30 | 2003-03-01 |
| GB/T 14142-2017 | 硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法 | 现行 | 2017-09-29 | 2018-04-01 |
| GB/T 30652-2023 | 硅外延用三氯氢硅 | 现行 | 2023-08-06 | 2024-03-01 |
| GB/T 14139-2019 | 硅外延片 | 现行 | 2019-06-04 | 2020-05-01 |
| GB/T 30110-2013 | 空间红外探测器碲镉汞外延材料参数测试方法 | 现行 | 2013-12-17 | 2014-05-15 |
| GB/T 24575-2009 | 硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法 | 现行 | 2009-10-30 | 2010-06-01 |
| GB/T 8758-2006 | 砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法 | 现行 | 2006-07-18 | 2006-11-01 |
| GB/T 44334-2024 | 埋层硅外延片 | 现行 | 2024-08-23 | 2025-03-01 |
| GB/T 14015-1992 | 硅-蓝宝石外延片 | 现行 | 1992-12-28 | 1993-08-01 |
| T/ZZB 2834-2022 | 以锂离子电池为动力源的松土、梳草一体机 | 现行 | 2022-12-08 | 2022-12-31 |