Substrate glass for amorphous silicon thin film transistor liquid crystal display device
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 44004-2024 | 纳米技术 有机晶体管和材料表征试验方法 | 现行 | 2024-04-25 | 2024-11-01 |
| JB 5840-1991 | JA系列50A以上开关用双极型电力晶体管 | 现行 | 1991-10-24 | 1992-10-01 |
| QC/T 1136-2020 | 电动汽车用绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块环境试验要求及试验方法 | 现行 | 2020-12-09 | 2021-04-01 |
| GB/T 45716-2025 | 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 | 现行 | 2025-05-30 | 2025-09-01 |
| GB/T 45719-2025 | 半导体器件 金属氧化物半导体（MOS） 晶体管的热载流子试验 | 现行 | 2025-05-30 | 2025-09-01 |
| SJ/T 10438-1993 | 双极型晶体管直流参数测试仪通用技术条件 | 现行 | 1993-12-17 | 1994-06-01 |
| SJ/T 11848-2022 | 半导体分立器件 3DG2484型NPN硅高频小功率晶体管详细规范 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| SJ/T 11851-2022 | 半导体分立器件 S3DK5794型NPN硅小功率开关晶体管对管详细规范 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| SJ/T 11850-2022 | 半导体分立器件 3DK2219A、3DK2222A、3DK2222AUB型NPN硅小功率开关晶体管详细规范 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| SJ/T 11849-2022 | 半导体分立器件3DG3500、3DG3501型NPN硅高频小功率 晶体管详细规范 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| SJ/T 11765-2020 | 晶体管低频噪声参数测试方法 | 现行 | 2020-12-09 | 2021-04-01 |
| SJ/T 11227-2000 | 电子元器件详细规范 3DA98型NPN硅高频大功率晶体管 | 现行 | 2000-08-16 | 2000-10-01 |
| SJ/T 10051-1991 | 3DA2688型晶体管详细规范 | 现行 | 1991-04-08 | 1991-07-01 |
| SJ/T 9014.8.2-2018 | 半导体器件 分立器件第8-2部分：超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范 | 现行 | 2018-04-30 | 2018-07-01 |
| SJ/T 10067-1991 | BT40型可调单结晶体管详细规范 | 现行 | 1991-04-08 | 1991-07-01 |
| SJ/T 10050-1991 | 3DA1722型晶体管详细规范 | 现行 | 1991-04-08 | 1991-07-01 |
| SJ/T 10415-1993 | 晶体管热敏参数快速筛选试验方法 | 现行 | 1993-12-17 | 1994-06-01 |
| SJ/T 10053-1991 | 3DD313型硅NPN低频放大管壳额定的双极型晶体管 | 现行 | 1991-04-08 | 1991-07-01 |