Substrate glass for amorphous silicon thin film transistor liquid crystal display device
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| SJ/T 10333-1993 | 单结晶体管测试方法 | 现行 | 1993-03-24 | 1993-10-01 |
| SJ/T 10439-1993 | 双极型晶体管直流参数测试仪测试方法 | 现行 | 1993-12-17 | 1994-06-01 |
| SJ/T 10064-1991 | BT32型PN硅单结晶体管详细规范 | 现行 | 1991-04-08 | 1991-07-01 |
| SJ/T 10066-1991 | BT37型PN硅单结晶体管详细规范 | 现行 | 1991-04-08 | 1991-07-01 |
| SJ/T 10052-1991 | 3CD507型硅PNP低频放大管壳额定的双极型晶体管 | 现行 | 1991-04-08 | 1991-07-01 |
| SJ/T 11225-2000 | 电子元器件详细规范 3DA504型S波段硅脉冲功率晶体管 | 现行 | 2000-08-16 | 2000-10-01 |
| SJ/T 11226-2000 | 电子元器件详细规范 3DA505型L波段硅脉冲功率晶体管 | 现行 | 2000-08-16 | 2000-10-01 |
| SJ/T 10049-1991 | 3DA1162型晶体管详细规范 | 现行 | 1991-04-08 | 1991-07-01 |
| SJ/T 10065-1991 | BT33型PN硅单结晶体管详细规范 | 现行 | 1991-04-08 | 1991-07-01 |
| GB/T 10067.34-2015 | 电热装置基本技术条件 第34部分:晶体管式高频感应加热装置 | 现行 | 2015-10-09 | 2016-05-01 |
| T/CASAS 022-2022 | 三相智能电表用氮化镓场效应晶体管通用技术规范 | 现行 | 2022-12-09 | 2022-12-09 |
| T/CI 161-2022 | 1 200 V和1 700 V电压等级绝缘栅双极型 晶体管(IGBT)驱动器 | 现行 | 2022-12-15 | 2022-12-15 |
| T/CASAS 005-2022 | 用于硬开关电路的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测试方法 | 现行 | 2022-09-16 | 2022-09-16 |
| T/CASAS 035-2024 | 用于第三象限续流的氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)动态导通电阻测试方法 | 现行 | 2024-09-30 | 2024-09-30 |
| T/CASAS 034-2024 | 用于零电压软开通电路的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测试方法 | 现行 | 2024-09-30 | 2024-09-30 |
| T/CASAS 016-2022 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (SiC MOSFET)结壳热阻瞬态双界面测试方法 | 现行 | 2022-07-18 | 2022-07-18 |
| T/CASAS 015-2022 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (SiC MOSFET)功率循环试验方法 | 现行 | 2022-07-18 | 2022-07-18 |
| T/CASAS 006-2020 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范 | 现行 | 2020-12-28 | 2021-01-01 |