| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 41765-2022 | 碳化硅单晶位错密度的测试方法 | 现行 | 2022-10-14 | 2023-05-01 |
| T/IAWBS 014-2021 | 碳化硅单晶抛光片位错密度的测试方法 | 现行 | 2021-09-15 | 2021-09-22 |
| GB/T 33763-2017 | 蓝宝石单晶位错密度测量方法 | 现行 | 2017-05-31 | 2017-12-01 |
| GB/T 34481-2017 | 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法 | 现行 | 2017-10-14 | 2018-07-01 |
| GB/T 5252-2006 | 锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法 | 废止 | 2006-07-18 | 2006-11-01 |
| SJ/T 11488-2015 | 半绝缘砷化镓电阻率、霍尔系数和迁移率测试方法 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| GB/T 8758-2006 | 砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法 | 现行 | 2006-07-18 | 2006-11-01 |
| GB/T 8757-2006 | 砷化镓中载流子浓度等离子共振测量方法 | 现行 | 2006-07-18 | 2006-11-01 |
| GB/T 30856-2025 | LED外延芯片用砷化镓衬底 | 现行 | 2025-08-01 | 2026-02-01 |
| GB/T 11068-2006 | 砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法 | 现行 | 2006-07-18 | 2006-11-01 |
| SJ/T 11496-2015 | 红外吸收法测量砷化镓中硼含量 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| SJ/T 11497-2015 | 砷化镓晶片热稳定性的试验方法 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| JJF 2064-2023 | 多结砷化镓太阳电池校准规范 光谱响应度 | 现行 | 2023-06-30 | 2023-12-30 |
| GB/T 30856-2014 | LED外延芯片用砷化镓衬底 | 废止 | 2014-07-24 | 2015-04-01 |
| GB/T 47901-2026 | 激光器外延芯片用砷化镓衬底 | 即将实施 | 2026-07-02 | 2027-02-01 |
| DB12/T 101.253-2003 | 工业产品取水定额 砷化镓抛光片 | 废止 | 2003-09-03 | 2003-09-03 |
| GB/T 11297.6-1989 | 锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法 | 现行 | 1989-03-31 | 1990-01-01 |
| T/CASAS 053-2025 | 氮化铝抛光片位错密度的测试 腐蚀坑法 | 现行 | 2025-05-20 | 2025-05-20 |