Procedures for temperature and irradiance corrections to measured I-V characteristics of crystalline silicon photovoltaic devices
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| SJ/T 1486-2016 | 半导体分立器件 3CG180型硅ＰＮＰ高频高反压小功率晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| SJ/T 1472-2016 | 半导体分立器件 3CG110型硅ＰＮＰ高频小功率晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| SJ/T 1838-2016 | 半导体分立器件 3DK29型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| SJ/T 1832-2016 | 半导体分立器件 3DK102型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| SJ/T 1477-2016 | 半导体分立器件 3CG120型硅ＰＮＰ高频小功率晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| SJ/T 1830-2016 | 半导体分立器件 3DK101型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| SJ/T 1839-2016 | 半导体分立器件 3DK108型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| SJ/T 1831-2016 | 半导体分立器件 3DK28型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| GZB 6-08-02-06 | 石英晶体元器件制造工 | 现行 | 2003-02-08 | 2003-02-08 |
| GB/T 4587-1994 | 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 | 废止 | 1994-12-30 | 1995-08-01 |
| GB/T 12273-1996 | 石英晶体元件 电子元器件质量评定体系规范 第1部分:总规范 | 废止 | 1996-09-09 | 1997-05-01 |
| Q/GDW 11179.5-2014 | 电能表用元器件技术规范 第5部分：晶体谐振器 | 现行 | 2015-02-18 | 2015-02-18 |
| GB/T 46789-2025 | 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的可动离子试验 | 即将实施 | 2025-12-02 | 2026-07-01 |
| T/CEC 155-2018 | 柔性输电用压接型绝缘栅双极晶体管 （IGBT）器件的一般要求 | 现行 | 2018-01-24 | 2018-04-01 |
| T/CEC 155-2018 | 柔性输电用压接型绝缘栅双极晶体管（IGBT)器件的一般要求 | 现行 | 2018-01-24 | 2018-04-01 |
| T/CECA 50-2021 | 石英晶体元器件用导电胶粘剂 | 现行 | 2021-06-28 | 2021-07-05 |
| GB/T 45716.1-2026 | 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 第1部分：MOSFETs的快速偏置温度不稳定性试验 | 即将实施 | 2026-04-30 | 2026-11-01 |
| GB/T 4023.4-2026 | 半导体分立器件 第4部分：微波二极管和晶体管 | 即将实施 | 2026-04-30 | 2026-11-01 |