Procedures for temperature and irradiance corrections to measured I-V characteristics of crystalline silicon photovoltaic devices
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 47239.9-2026 | 半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 第9部分：一晶体管一电阻式（1T1R）电阻存储单元性能测试方法 | 即将实施 | 2026-02-27 | 2026-09-01 |
| SJ/T 12032-2025 | 半导体器件 分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管电参数测试方法 | 现行 | 2025-09-09 | 2026-03-01 |
| SJ/T 12067-2025 | 半导体器件 分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管门类规范 | 现行 | 2025-12-19 | 2026-07-01 |
| SJ/T 12068-2025 | 半导体器件 分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性试验方法 | 现行 | 2025-12-19 | 2026-07-01 |
| GB/T 48168-2026 | 半导体器件 基于感性负载开关应力的氮化镓（GaN）晶体管可靠性试验方法 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 47239.3-2026 | 半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 第3部分：柔性基板在凸起状态下的薄膜晶体管性能评价 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 48164.2-2026 | 半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第2部分：体二极管工作引起双极退化的试验方法 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 48164.1-2026 | 半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第1部分：偏置温度不稳定性试验方法 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| JY/T 0006-2011 | 晶体管特性图示仪 | 现行 | 2013-07-11 | 2013-07-11 |
| GB/T 40291-2021 | 核仪器仪表 辐射探测器用高纯度锗晶体 基本特性的测量方法 | 现行 | 2021-05-21 | 2021-12-01 |
| GB/T 15651.2-2003 | 半导体分立器件和集成电路 第5-2部分:光电子器件 基本额定值和特性 | 现行 | 2003-11-24 | 2004-08-01 |
| GB/T 40675.3-2021 | 数字器件和设备用噪声抑制片 第3部分：噪声抑制片的参数特性 | 现行 | 2021-12-31 | 2022-07-01 |
| GB/T 7343-2017 | 无源EMC滤波器件抑制特性的测量方法 | 现行 | 2017-07-31 | 2018-02-01 |
| GB/T 18910.41-2024 | 液晶显示器件 第4-1部分：彩色矩阵液晶显示模块 基本额定值和特性 | 现行 | 2024-03-15 | 2024-07-01 |
| GB/T 18910.4-2024 | 液晶显示器件 第4部分：液晶显示模块和屏 基本额定值和特性 | 现行 | 2024-03-15 | 2024-03-15 |
| SJ/T 11703-2018 | 数字微电子器件封装的串扰特性测试方法 | 现行 | 2018-02-09 | 2018-04-01 |
| T/CASAS 029-2023 | Sub-6GHz GaN射频器件微波特性测试方法 | 现行 | 2023-06-30 | 2023-07-01 |
| YD/T 2001.1-2009 | 用于光纤系统的半导体光电子器件 第1部分：基本特性和额定值 | 现行 | 2009-12-11 | 2010-01-01 |