Procedures for temperature and irradiance corrections to measured I-V characteristics of crystalline silicon photovoltaic devices
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 6590-1998 | 半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第二篇 100A以下环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范 | 现行 | 1998-11-17 | 1999-06-01 |
| GB/T 45716-2025 | 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 | 现行 | 2025-05-30 | 2025-09-01 |
| GB/T 45719-2025 | 半导体器件 金属氧化物半导体（MOS） 晶体管的热载流子试验 | 现行 | 2025-05-30 | 2025-09-01 |
| SJ/T 11848-2022 | 半导体分立器件 3DG2484型NPN硅高频小功率晶体管详细规范 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| SJ/T 11851-2022 | 半导体分立器件 S3DK5794型NPN硅小功率开关晶体管对管详细规范 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| SJ/T 11850-2022 | 半导体分立器件 3DK2219A、3DK2222A、3DK2222AUB型NPN硅小功率开关晶体管详细规范 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| SJ/T 11849-2022 | 半导体分立器件3DG3500、3DG3501型NPN硅高频小功率 晶体管详细规范 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| SJ/T 11227-2000 | 电子元器件详细规范 3DA98型NPN硅高频大功率晶体管 | 现行 | 2000-08-16 | 2000-10-01 |
| SJ/T 9014.8.2-2018 | 半导体器件 分立器件第8-2部分：超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范 | 现行 | 2018-04-30 | 2018-07-01 |
| SJ/T 11225-2000 | 电子元器件详细规范 3DA504型S波段硅脉冲功率晶体管 | 现行 | 2000-08-16 | 2000-10-01 |
| SJ/T 11226-2000 | 电子元器件详细规范 3DA505型L波段硅脉冲功率晶体管 | 现行 | 2000-08-16 | 2000-10-01 |
| GB/T 14077-1993 | 双折射晶体和偏振器件测试规范 | 现行 | 1993-02-06 | 1993-08-01 |
| GB/T 6217-2026 | 半导体分立器件 小功率双极型晶体管空白详细规范 | 即将实施 | 2026-03-31 | 2026-10-01 |
| GB/T 7576-2026 | 半导体分立器件 大功率双极型晶体管空白详细规范 | 即将实施 | 2026-03-31 | 2026-10-01 |
| SJ/T 1480-2016 | 半导体分立器件 3CG130型硅ＰＮＰ高频小功率晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| SJ/T 1833-2016 | 半导体分立器件 3DK103型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| SJ/T 1826-2016 | 半导体分立器件 3DK100型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |
| SJ/T 1834-2016 | 半导体分立器件 3DK104型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |