Procedures for temperature and irradiance corrections to measured I-V characteristics of crystalline silicon photovoltaic devices
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| T/FJJX 1.1-2019 | 建筑工程实体质量实测实量操作规程（上册） | 现行 | 2019-07-18 | 2019-10-01 |
| T/CBDA 19-2018 | 住宅室内装饰装修工程施工实测实量技术规程 | 现行 | 2018-08-13 | 2018-11-05 |
| T/FJJX 1.1-2019 | 建筑工程实体质量实测实量操作规程（上册） | 现行 | 2019-07-18 | 2019-10-01 |
| T/ZJSEE 0013.2-2023 | 燃气机组能耗实测导则 第2部分：变动能耗 | 现行 | 2023-09-18 | 2023-12-01 |
| T/ZJSEE 0013.1-2023 | 燃气机组能耗实测导则 第1部分：启动能耗 | 现行 | 2023-09-18 | 2023-12-01 |
| T/CCSA 588.1-2024 | 扩展现实测试方法 第1部分:增强现实设备光学显示性能 | 现行 | 2024-11-12 | 2025-01-01 |
| GB/T 16517-1996 | 石英晶体元件 电子元器件质量评定体系规范 第3部分:分规范 鉴定批准 | 现行 | 1996-09-09 | 1997-05-01 |
| GB/T 16516-1996 | 石英晶体元件 电子元器件质量评定体系规范 第2部分:分规范 能力批准 | 现行 | 1996-09-09 | 1996-05-01 |
| GB/T 4586-1994 | 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 | 现行 | 1994-12-30 | 1995-08-01 |
| GB/T 21039.1-2007 | 半导体器件 分立器件 第4-1部分：微波二极管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范 | 现行 | 2007-06-29 | 2007-11-01 |
| GB/T 6352-1998 | 半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第一篇 100A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范 | 现行 | 1998-11-17 | 1999-06-01 |
| GB/T 29332-2012 | 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) | 现行 | 2012-12-31 | 2013-06-01 |
| GB/T 12273.501-2012 | 石英晶体元件 电子元器件质量评定体系规范 第5.1部分：空白详细规范 鉴定批准 | 现行 | 2012-11-05 | 2013-02-15 |
| GB/T 15651.7-2024 | 半导体器件 第5-7部分：光电子器件 光电二极管和光电晶体管 | 现行 | 2024-03-15 | 2024-07-01 |
| GB/T 4587-2023 | 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管 | 现行 | 2023-09-07 | 2024-04-01 |
| GB/T 7576-1998 | 半导体器件 分立器件 第7部分:双极型晶体管 第四篇 高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范 | 现行 | 1998-11-17 | 1999-06-01 |
| GB/T 6219-1998 | 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第一篇 1 GHz、5 W以下的单栅场效应晶体管 空白详细规范 | 现行 | 1998-11-17 | 1999-06-01 |
| GB/T 6217-1998 | 半导体器件 分立器件 第7部分:双极型晶体管 第一篇 高低频放大环境额定的双极型晶体管空白详细规范 | 现行 | 1998-11-17 | 1999-06-01 |