Electronic components—Long-term storage of electronic semiconductor devices—Part 1：General
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| YD/T 2001.1-2009 | 用于光纤系统的半导体光电子器件 第1部分：基本特性和额定值 | 现行 | 2009-12-11 | 2010-01-01 |
| YD/T 2001.2-2011 | 用于光纤系统的半导体光电子器件 第2部分：测试方法 | 现行 | 2011-12-20 | 2012-02-01 |
| SJ/T 11393-2009 | 半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范 | 现行 | 2009-11-17 | 2010-01-01 |
| SJ/T 11405-2009 | 光纤系统用半导体光电子器件 第2部分：测量方法 | 现行 | 2009-11-17 | 2010-01-01 |
| SJ/T 11400-2009 | 半导体光电子器件 小功率半导体发光二极管空白详细规范 | 现行 | 2009-11-17 | 2010-01-01 |
| GB/T 15651.13-2026 | 半导体器件 第5-13部分：光电子器件 LED封装的硫化氢腐蚀试验 | 即将实施 | 2026-02-27 | 2026-06-01 |
| GB/T 15651.4-2026 | 半导体器件 第5-4部分：光电子器件半导体激光器 | 即将实施 | 2026-04-30 | 2026-11-01 |
| GB/T 42709.2-2026 | 半导体器件 微电子机械器件 第2部分：薄膜材料拉伸试验方法 | 即将实施 | 2026-04-30 | 2026-11-01 |
| GB/T 42709.3-2026 | 半导体器件 微电子机械器件 第3部分：拉伸试验用薄膜标准试验片 | 即将实施 | 2026-04-30 | 2026-11-01 |
| GB/Z 34954.2-2026 | 航空电子过程管理 电子器件使用性能 第2部分：半导体集成电路寿命 | 现行 | 2026-07-02 | |
| GB/T 42709.35-2026 | 半导体器件 微电子机械器件 第35部分：柔性MEMS器件弯曲形变下的电特性测试方法 | 即将实施 | 2026-07-30 | 2027-02-01 |
| GB/T 42709.8-2026 | 半导体器件 微电子机械器件 第8部分：带状薄膜拉伸特性测量的弯曲试验方法 | 即将实施 | 2026-07-30 | 2027-02-01 |
| GB/T 42709.40-2026 | 半导体器件 微电子机械器件 第40部分：MEMS惯性冲击开关阈值测试方法 | 即将实施 | 2026-07-30 | 2027-02-01 |
| GB/T 42709.38-2026 | 半导体器件 微电子机械器件 第38部分：MEMS互连中金属粉末膏体粘附强度测试方法 | 即将实施 | 2026-07-30 | 2027-02-01 |
| GB/T 42709.36-2026 | 半导体器件 微电子机械器件 第 36 部分：MEMS 压电薄膜的环境及介电耐压试验方法 | 即将实施 | 2026-07-30 | 2027-02-01 |
| GB/T 42709.21-2026 | 半导体器件 微电子机械器件 第21部分：MEMS薄膜材料泊松比测试方法 | 即将实施 | 2026-07-30 | 2027-02-01 |
| GB/T 42709.6-2026 | 半导体器件 微电子机械器件 第6部分：薄膜材料轴向疲劳试验方法 | 即将实施 | 2026-07-30 | 2027-02-01 |
| GB/T 42709.12-2026 | 半导体器件 微电子机械器件 第12部分：采用MEMS结构谐振法的薄膜材料弯曲疲劳试验方法 | 即将实施 | 2026-07-30 | 2027-02-01 |