Semiconductor devices—Micro-electromechanical devices—Part 5: RF MEMS switches
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| SJ/T 11705-2018 | 微电子器件封装的地和电源阻抗测试方法 | 现行 | 2018-02-09 | 2018-04-01 |
| SJ/T 11703-2018 | 数字微电子器件封装的串扰特性测试方法 | 现行 | 2018-02-09 | 2018-04-01 |
| GB/T 43366-2023 | 宇航用半导体分立器件通用规范 | 现行 | 2023-11-27 | 2024-03-01 |
| GB/T 6571-1995 | 半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 | 现行 | 1995-07-24 | 1996-04-01 |
| GB/T 4586-1994 | 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 | 现行 | 1994-12-30 | 1995-08-01 |
| GB/T 7581-1987 | 半导体分立器件外形尺寸 | 现行 | 1987-03-27 | 1987-11-01 |
| GB/T 5965-2000 | 半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路 第一篇 双极型单片数字集成电路门电路(不包括自由逻辑阵列) 空白详细规范 | 现行 | 2000-01-03 | 2000-07-01 |
| GB/T 6588-2000 | 半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 第1篇 信号二极管、开关二极管和可控雪崩二极管空白详细规范 | 现行 | 2000-10-17 | 2001-10-01 |
| GB/T 17940-2000 | 半导体器件 集成电路 第3部分:模拟集成电路 | 现行 | 2000-01-03 | 2000-07-01 |
| GB/T 13151-2005 | 半导体器件 分立器件 第6部分:晶闸管 第3篇 电流大于 100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范 | 现行 | 2005-03-23 | 2005-10-01 |
| GB/T 13150-2005 | 半导体器件 分立器件 电流大于 100A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管空白详细规范 | 现行 | 2005-03-23 | 2005-10-01 |
| GB/T 6589-2002 | 半导体器件 分立器件 第3-2部分:信号(包括开关)和调整二极管 电压调整二极管和电压基准二极管(不包括温度补偿精密基准二极管) 空白详细规范 | 现行 | 2002-12-04 | 2003-05-01 |
| GB/T 44181-2024 | 空间环境 宇航用半导体器件在轨单粒子翻转率预计方法 | 现行 | 2024-07-24 | 2024-07-24 |
| DB61/T 1448-2021 | 大功率半导体分立器件间歇寿命试验规程 | 废止 | 2021-03-22 | 2021-04-22 |
| GB/T 17574.9-2006 | 半导体器件 集成电路 第2-9部分：数字集成电路 紫外光擦除电可编程MOS只读存储器空白详细规范 | 现行 | 2006-12-05 | 2007-05-01 |
| GB/T 17574.11-2006 | 半导体器件 集成电路 第2-11部分：数字集成电路 单电源集成电路电可擦可编程只读存储器 空白详细规范 | 现行 | 2006-12-05 | 2007-05-01 |
| GB/T 17574.20-2006 | 半导体器件 集成电路 第2-20部分：数字集成电路 低压集成电路族规范 | 现行 | 2006-12-05 | 2007-05-01 |
| GB/T 20522-2006 | 半导体器件 第14-3部分: 半导体传感器-压力传感器 | 现行 | 2006-08-23 | 2007-02-01 |