半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分:缺陷分类

Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 1: Classification of defects

GB/T 43493.1-2023推荐性国家标准

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GB/T 43493.1-2023 相似标准 第3页

更新时间 2026-10-25
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