半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分:缺陷分类

Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 1: Classification of defects

GB/T 43493.1-2023推荐性国家标准

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GB/T 43493.1-2023 相似标准 第2页

更新时间 2026-10-25
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SJ/T 1833-2016半导体分立器件 3DK103型NPN硅小功率开关晶体管详细规范现行2016-09-01找相似
SJ/T 11393-2009半导体光电子器件功率发光二极管空白详细规范现行2010-01-01找相似