Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 2: Test method for defects using optical inspection
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| JB 5842-1991 | 电力半导体器件用管芯定位环 | 现行 | 1991-10-24 | 1992-10-01 |
| JB 5843-1991 | 电力半导体器件用接插件 | 现行 | 1991-10-24 | 1992-10-01 |
| GB/T 4023.1-2026 | 半导体分立器件 第1部分：分规范 | 即将实施 | 2026-03-31 | 2026-10-01 |
| GB/T 7581-2026 | 半导体分立器件外形尺寸 | 即将实施 | 2026-03-31 | 2026-10-01 |
| YD/T 2001.1-2009 | 用于光纤系统的半导体光电子器件 第1部分：基本特性和额定值 | 现行 | 2009-12-11 | 2010-01-01 |
| YD/T 2001.2-2011 | 用于光纤系统的半导体光电子器件 第2部分：测试方法 | 现行 | 2011-12-20 | 2012-02-01 |
| SJ/T 10414-2015 | 半导体器件用焊料 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| SJ/T 11874-2022 | 电动汽车用半导体分立器件应力试验程序 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| SJ/T 11405-2009 | 光纤系统用半导体光电子器件 第2部分：测量方法 | 现行 | 2009-11-17 | 2010-01-01 |
| SJ/T 11586-2016 | 半导体器件10KeV低能X射线总剂量辐照试验方法 | 现行 | 2016-01-15 | 2016-06-01 |
| GZB 6-25-02-06 | 半导体分立器件和集成电路装调工 | 现行 | 2019-01-14 | 2019-01-14 |
| JJF 1895-2021 | 半导体器件直流和低频参数测试设备校准规范 | 现行 | 2021-02-23 | 2021-08-23 |
| YS/T 678-2008 | 半导体器件键合用铜丝 | 废止 | 2008-03-12 | 2008-09-01 |
| JB/T 7063-1993 | 电力半导体器件额定电压和电流 | 废止 | 1993-10-08 | 1994-01-01 |
| YS/T 641-2007 | 半导体器件键合用铝丝 | 废止 | 2007-04-13 | 2007-10-01 |
| JB/T 5631-1991 | 半导体器件外延炉能耗分等 | 废止 | 1991-08-27 | 1992-07-01 |
| JB/T 4277-1996 | 电力半导体器件包装 | 废止 | 1996-09-03 | 1997-01-01 |
| JB/T 5630-1991 | 半导体器件扩散炉能耗分等 | 废止 | 1991-08-27 | 1992-07-01 |