Calculation of effects of short-circuit currents—Part 1: Definitions and calculation methods
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 41762.2-2022 | 纤维增强塑料复合材料 层合板厚度方向性能的测定 第2部分：弯曲试验测定碳纤维单向层合板的弹性模量、强度和威布尔尺寸效应 | 现行 | 2022-10-12 | 2022-10-12 |
| GB/T 6219-1998 | 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第一篇 1 GHz、5 W以下的单栅场效应晶体管 空白详细规范 | 现行 | 1998-11-17 | 1999-06-01 |
| GB/T 26958.28-2020 | 产品几何技术规范（GPS） 滤波 第28部分: 轮廓滤波器 端部效应 | 现行 | 2020-12-14 | 2021-07-01 |
| GB/T 41270.7-2022 | 航空电子过程管理 大气辐射影响 第7部分：航空电子产品设计中单粒子效应分析过程管理 | 现行 | 2022-03-09 | 2022-10-01 |
| TB/T 3503.2-2018 | 铁路应用 空气动力学 第2部分：隧道空气动力学效应 | 现行 | 2018-04-12 | 2018-11-01 |
| GB/T 37977.32-2019 | 静电学 第3-2部分:静电效应的模拟方法 机器模型(MM)的静电放电试验波形 | 现行 | 2019-08-30 | 2020-03-01 |
| GB/T 17421.3-2009 | 机床检验通则 第3部分：热效应的确定 | 现行 | 2009-04-13 | 2010-01-01 |
| GB/Z 17624.3-2021 | 电磁兼容 综述 第3部分：高空电磁脉冲(HEMP)对民用设备和系统的效应 | 现行 | 2021-05-21 | |
| SJ/T 9014.8.2-2018 | 半导体器件 分立器件第8-2部分：超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范 | 现行 | 2018-04-30 | 2018-07-01 |
| DL/T 2979.1-2025 | 电力设备大气辐射试验方法 第1部分：集成电路中子单粒子效应 | 即将实施 | 2025-12-18 | 2026-06-18 |
| GB 16895.2-1997 | 建筑物电气装置 第4部分:安全防护 第42章:热效应保护 | 废止 | 1997-06-28 | 1998-09-01 |
| GB/T 16895.2-2005 | 建筑物电气装置 第4-42部分:安全防护-热效应保护 | 废止 | 2005-07-29 | 2006-06-01 |
| GB/T 4937.44-2025 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第44部分：半导体器件的中子辐照单粒子效应（SEE）试验方法 | 即将实施 | 2025-12-02 | 2026-07-01 |
| GB/T 41270.3-2025 | 航空电子过程管理 大气辐射影响 第3部分：考虑大气辐射单粒子效应（SEE）的系统设计优化 | 现行 | 2025-08-01 | 2026-02-01 |
| GB/T 45716.1-2026 | 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 第1部分：MOSFETs的快速偏置温度不稳定性试验 | 即将实施 | 2026-04-30 | 2026-11-01 |
| GB/T 48164.2-2026 | 半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第2部分：体二极管工作引起双极退化的试验方法 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 48164.1-2026 | 半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第1部分：偏置温度不稳定性试验方法 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 42565-2023 | 量子计算 术语和定义 | 现行 | 2023-05-23 | 2023-12-01 |