| DB52/T 1104-2016 | 半导体器件结-壳热阻瞬态测试方法 | 废止 | 2016-04-01 | 2016-10-01 |
| GB/T 249-1989 | 半导体分立器件型号命名方法 | 废止 | 1989-03-18 | 1990-04-01 |
| GB 13539.4-1992 | 低压熔断器 半导体器件保护用熔断体的补充要求 | 废止 | 1992-07-01 | 1993-03-01 |
| GB/T 8446.3-2004 | 电力半导体器件用散热器 第3部分:绝缘件和紧固件 | 废止 | 2004-02-04 | 2004-08-01 |
| GB/T 8446.2-2004 | 电力半导体器件用散热器 第2部分:热阻和流阻测试方法 | 废止 | 2004-02-04 | 2004-08-01 |
| GB/T 8446.1-2004 | 电力半导体器件用散热器 第1部分:铸造类系列 | 废止 | 2004-02-04 | 2004-08-01 |
| T/CVIA 134-2024 | 半导体激光器器件测试方法 | 现行 | 2024-05-20 | 2024-05-20 |
| GB/T 4937.25-2025 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第25部分：温度循环 | 即将实施 | 2025-12-02 | 2026-07-01 |
| GB/T 42706.3-2025 | 电子元器件半导体器件长期贮存 第3部分：数据 | 即将实施 | 2025-12-02 | 2026-07-01 |
| GB/T 4937.24-2025 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第24部分：加速耐湿 无偏置强加速应力试验 | 即将实施 | 2025-12-02 | 2026-07-01 |
| GB/T 20521.2-2025 | 半导体器件 第14-2部分：半导体传感器 霍尔元件 | 即将实施 | 2025-12-02 | 2026-07-01 |
| GB/T 46789-2025 | 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的可动离子试验 | 即将实施 | 2025-12-02 | 2026-07-01 |
| GB/T 46788-2025 | 半导体器件表面镀涂锡和锡合金上的锡须的环境接收要求 | 即将实施 | 2025-12-02 | 2026-07-01 |
| GB/T 4937.29-2025 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第29部分：闩锁试验 | 即将实施 | 2025-12-02 | 2026-07-01 |
| GB/T 20521.5-2025 | 半导体器件 第14-5部分：半导体传感器 PN结半导体温度传感器 | 即将实施 | 2025-12-02 | 2026-07-01 |
| GB/T 4937.33-2025 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第33部分：加速耐湿 无偏置高压蒸煮 | 即将实施 | 2025-12-02 | 2026-07-01 |
| GB/T 4937.36-2025 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第36部分：稳态加速度 | 即将实施 | 2025-12-02 | 2026-07-01 |
| GB/T 4937.38-2025 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第38部分：带存储的半导体器件的软错误试验方法 | 即将实施 | 2025-12-02 | 2026-07-01 |