Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped, phosphorus-doped, and arsenic-doped silicon
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 13389-2014 | 掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程 | 现行 | 2014-12-31 | 2015-09-01 |
| GB/T 1551-2021 | 硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法 | 现行 | 2021-05-21 | 2021-12-01 |
| GB/T 42271-2022 | 半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法 | 现行 | 2022-12-30 | 2023-04-01 |
| T/IAWBS 013-2019 | 半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/IAWBS 011-2019 | 导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| JJF 1760-2019 | 硅单晶电阻率标准样片校准规范 | 现行 | 2019-09-27 | 2020-03-27 |
| GB/T 1551-2009 | 硅单晶电阻率测定方法 | 废止 | 2009-10-30 | 2010-06-01 |
| T/IAWBS 011-2019 | 导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/IAWBS 013-2019 | 半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| SJ/T 11976-2025 | 绝缘栅双极晶体管（IGBT）用中子嬗变掺杂区熔硅单晶 | 现行 | 2025-05-09 | 2025-08-01 |
| GB/T 26074-2010 | 锗单晶电阻率直流四探针测量方法 | 现行 | 2011-01-10 | 2011-10-01 |
| GB/T 11297.7-1989 | 锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法 | 现行 | 1989-03-31 | 1990-01-01 |
| T/CPIA 0100-2024 | 光伏电池用掺杂层薄层方块电阻的测量方法 | 现行 | 2024-12-15 | 2024-12-30 |
| GB/T 35306-2023 | 硅单晶中碳、氧含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法 | 现行 | 2023-08-06 | 2024-03-01 |
| GB/T 12964-2018 | 硅单晶抛光片 | 现行 | 2018-09-17 | 2019-06-01 |
| GB/T 26069-2022 | 硅单晶退火片 | 现行 | 2022-03-09 | 2022-10-01 |
| GB/T 12962-2015 | 硅单晶 | 现行 | 2015-12-10 | 2017-01-01 |
| GB/T 26065-2010 | 硅单晶抛光试验片规范 | 现行 | 2011-01-10 | 2011-10-01 |