Semiconductor devices—Micro-electromechanical devices—Part 36: Environmental and dielectric withstand test methods for MEMS piezoelectric thin films
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 实施日期 | 相似标准 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 42709.19-2023 | 半导体器件微电子机械器件 第19部分：电子罗盘 | 现行 | 2024-03-01 | 相似 |
| GB/T 42709.7-2023 | 半导体器件微电子机械器件 第7部分：用于射频控制和选择的MEMS体声波滤波器和双工器 | 现行 | 2023-12-01 | 相似 |
| GB/T 42709.5-2023 | 半导体器件微电子机械器件 第5部分：射频MEMS开关 | 现行 | 2023-09-01 | 相似 |
| GB/T 42706.7-2026 | 电子元器件半导体器件长期贮存 第7部分：微电子机械器件 | 即将实施 | 2026-09-01 | 相似 |
| GB/T 42709.2-2026 | 半导体器件微电子机械器件 第2部分：薄膜材料拉伸试验方法 | 即将实施 | 2026-11-01 | 相似 |
| GB/T 42709.3-2026 | 半导体器件微电子机械器件 第3部分：拉伸试验用薄膜标准试验片 | 即将实施 | 2026-11-01 | 相似 |
| GB/T 42709.35-2026 | 半导体器件微电子机械器件 第35部分：柔性MEMS器件弯曲形变下的电特性测试方法 | 即将实施 | 2027-02-01 | 相似 |
| GB/T 42709.8-2026 | 半导体器件微电子机械器件 第8部分：带状薄膜拉伸特性测量的弯曲试验方法 | 即将实施 | 2027-02-01 | 相似 |
| GB/T 42709.40-2026 | 半导体器件微电子机械器件 第40部分：MEMS惯性冲击开关阈值测试方法 | 即将实施 | 2027-02-01 | 相似 |
| GB/T 42709.38-2026 | 半导体器件微电子机械器件 第38部分：MEMS互连中金属粉末膏体粘附强度测试方法 | 即将实施 | 2027-02-01 | 相似 |
| GB/T 42709.36-2026 | 半导体器件微电子机械器件 第 36 部分：MEMS 压电薄膜的环境及介电耐压试验方法 | 即将实施 | 2027-02-01 | 相似 |
| GB/T 42709.21-2026 | 半导体器件微电子机械器件 第21部分：MEMS薄膜材料泊松比测试方法 | 即将实施 | 2027-02-01 | 相似 |
| GB/T 42709.6-2026 | 半导体器件微电子机械器件 第6部分：薄膜材料轴向疲劳试验方法 | 即将实施 | 2027-02-01 | 相似 |
| GB/T 42709.12-2026 | 半导体器件微电子机械器件 第12部分：采用MEMS结构谐振法的薄膜材料弯曲疲劳试验方法 | 即将实施 | 2027-02-01 | 相似 |
| GB/T 42709.22-2026 | 半导体器件微电子机械器件 第22部分：柔性衬底导电薄膜机电拉伸测试方法 | 即将实施 | 2027-02-01 | 相似 |
| GB/T 42709.29-2026 | 半导体器件微电子机械器件 第29部分：室温下悬空导电薄膜的机电松弛试验方法 | 即将实施 | 2027-03-01 | 相似 |
| GB/T 4937.35-2024 | 半导体器件机械和气候试验方法 第35部分：塑封电子元器件的声学显微镜检查 | 现行 | 2024-07-01 | 相似 |
| GB/T 12565-1990 | 半导体器件 光电子器件分规范 (可供认证用) | 现行 | 1991-10-01 | 相似 |