| GB/T 4937.33-2025 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第33部分：加速耐湿 无偏置高压蒸煮 | 即将实施 | 2026-07-01 | 找相似 |
| GB/T 4937.36-2025 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第36部分：稳态加速度 | 即将实施 | 2026-07-01 | 找相似 |
| GB/T 4937.37-2025 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第37部分：采用加速度计的板级跌落试验方法 | 即将实施 | 2026-07-01 | 找相似 |
| GB/T 20521.4-2025 | 半导体器件 第14-4部分：半导体传感器 半导体加速度计 | 即将实施 | 2026-07-01 | 找相似 |
| GB/T 36359-2018 | 半导体光电子器件 小功率发光二极管空白详细规范 | 现行 | 2019-01-01 | 找相似 |
| GB/T 18310.14-2003 | 纤维光学互连器件和无源器件 基本试验和测量程序 第2-14部分:试验 最大输入功率 | 废止 | 2004-08-01 | 找相似 |
| GB/T 28511.1-2024 | 平面光波导集成光路器件 第1部分：基于平面光波导（PLC）的光功率分路器 | 现行 | 2025-02-01 | 找相似 |
| GB/T 43493.1-2023 | 半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分：缺陷分类 | 现行 | 2024-07-01 | 找相似 |
| GB/T 43493.2-2023 | 半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法 | 现行 | 2024-07-01 | 找相似 |
| GB/T 43493.3-2023 | 半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分：缺陷的光致发光检测方法 | 现行 | 2024-07-01 | 找相似 |
| GB/T 4937.34-2024 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第34部分：功率循环 | 现行 | 2024-07-01 | 找相似 |
| SJ/T 11848-2022 | 半导体分立器件 3DG2484型NPN硅高频小功率晶体管详细规范 | 现行 | 2023-01-01 | 找相似 |
| SJ/T 11851-2022 | 半导体分立器件 S3DK5794型NPN硅小功率开关晶体管对管详细规范 | 现行 | 2023-01-01 | 找相似 |
| SJ/T 11850-2022 | 半导体分立器件 3DK2219A、3DK2222A、3DK2222AUB型NPN硅小功率开关晶体管详细规范 | 现行 | 2023-01-01 | 找相似 |
| SJ/T 11849-2022 | 半导体分立器件3DG3500、3DG3501型NPN硅高频小功率 晶体管详细规范 | 现行 | 2023-01-01 | 找相似 |
| SJ/T 10617-2017 | 电子元器件详细规范 低功率非线绕固定电阻器RT13型碳膜固定电阻器 评定水平E | 现行 | 2018-01-01 | 找相似 |
| SJ/T 11866-2022 | 半导体光电子器件 硅衬底白光功率发光二极管详细规范 | 现行 | 2023-01-01 | 找相似 |
| SJ/T 11865-2022 | 功率器件用φ150mm n型碳化硅衬底 | 现行 | 2023-01-01 | 找相似 |