| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| T/IAWBS 006-2018 | 碳化硅混合模块测试方法 | 现行 | 2018-12-06 | 2018-12-17 |
| T/IAWBS 007-2018 | 4H 碳化硅同质外延层厚度的红外反射测量方法 | 现行 | 2018-12-06 | 2018-12-17 |
| T/IAWBS 002-2017 | 碳化硅外延片表面缺陷测试方法 | 现行 | 2017-12-20 | 2017-12-31 |
| HS/T 56-2017 | 球形碳化钨硬质合金粉的鉴定方法 | 现行 | 2017-06-16 | 2017-08-01 |
| T/CSAE 232-2021 | 电动汽车碳化硅电机控制器效率测试方法 | 现行 | 2021-10-26 | 2021-10-26 |
| T/IAWBS 021-2024 | 碳化硅晶片边缘轮廓检验方法 | 现行 | 2024-04-01 | 2024-04-09 |
| T/CHBAS 58-2024 | 钢中非金属夹杂物和碳化物智能金相检测方法 | 现行 | 2024-05-22 | 2024-05-22 |
| SJ/T 12032-2025 | 半导体器件 分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管电参数测试方法 | 现行 | 2025-09-09 | 2026-03-01 |
| SJ/T 12068-2025 | 半导体器件 分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性试验方法 | 现行 | 2025-12-19 | 2026-07-01 |
| SJ/T 12069-2025 | 半导体器件 分立器件 碳化硅二极管电参数测试方法 | 现行 | 2025-12-19 | 2026-07-01 |
| SJ/T 12070-2025 | 半导体器件 分立器件 碳化硅二极管可靠性试验方法 | 现行 | 2025-12-19 | 2026-07-01 |
| GB/T 48164.2-2026 | 半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第2部分：体二极管工作引起双极退化的试验方法 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 48164.1-2026 | 半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第1部分：偏置温度不稳定性试验方法 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 43612-2023 | 碳化硅晶体材料缺陷图谱 | 现行 | 2023-12-28 | 2024-07-01 |
| GB/T 24485-2009 | 碳化铌粉 | 现行 | 2009-10-30 | 2010-06-01 |
| GB/T 37254-2018 | 高纯碳化硅 微量元素的测定 | 现行 | 2018-12-28 | 2019-09-01 |
| DB44/T 2334-2021 | 碳化复合竹编土工格栅应用技术规程 | 现行 | 2021-09-30 | 2021-12-30 |
| GB/T 41153-2021 | 碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法 | 现行 | 2021-12-31 | 2022-07-01 |