The activation analysis method for the determination of elemental impurities in semiconductor silicon materials
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 实施日期 | 相似标准 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 4298-1984 | 半导体硅材料中杂质元素的活化分析方法 | 废止 | 1985-03-01 | 相似 |
| DB35/T 1146-2011 | 硅材料中杂质元素含量测定 辉光放电质谱法 | 废止 | 2011-07-10 | —— |
| GB/T 31854-2015 | 光伏电池用硅材料中金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法 | 现行 | 2016-03-01 | 相似 |
| GB/T 29851-2013 | 光伏电池用硅材料中B、Al受主杂质含量的二次离子质谱测量方法 | 现行 | 2014-04-15 | 相似 |
| YB/T 4590-2017 | 硅材料用高纯石墨制品中杂质含量的测定 电感耦合等离子体发射光谱法 | 现行 | 2017-10-01 | 相似 |
| GB/T 29849-2013 | 光伏电池用硅材料表面金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法 | 现行 | 2014-04-15 | 相似 |
| GB/T 29852-2013 | 光伏电池用硅材料中P、As、Sb施主杂质含量的二次离子质谱测量方法 | 现行 | 2014-04-15 | 相似 |
| T/CASAS 009-2019 | 半绝缘碳化硅材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法 | 现行 | 2019-11-25 | —— |
| YS/T 1164-2016 | 硅材料用高纯石英制品中杂质含量的测定 电感耦合等离子体发射光谱法 | 现行 | 2017-01-01 | 相似 |
| T/CASAS 009-2019 | 半绝缘碳化硅材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法 | 现行 | 2019-11-25 | —— |
| JC/T 2133-2012 | 半导体抛光液用硅溶胶中杂质元素含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法 | 现行 | 2013-06-01 | 相似 |
| DB5111/T 14-2021 | 硅材料工业企业能源管理规范 | 现行 | 2021-12-01 | 相似 |
| GB/T 40561-2021 | 光伏硅材料 氧含量的测定 脉冲加热惰性气体熔融红外吸收法 | 现行 | 2022-05-01 | 相似 |
| GB/T 41605-2022 | 滚动轴承球用氮化硅材料 室温压痕断裂阻力试验方法 压痕法 | 现行 | 2023-02-01 | 相似 |
| GB/T 44751-2024 | 精细陶瓷 滚动轴承球及滚子用氮化硅材料 | 现行 | 2025-05-01 | 相似 |
| GB/T 30453-2013 | 硅材料原生缺陷图谱 | 现行 | 2014-10-01 | 相似 |
| JC/T 2342-2015 | 氮化硅材料相含量分析方法 | 现行 | 2016-01-01 | 相似 |
| GB/T 16175-2008 | 医用有机硅材料生物学评价试验方法 | 现行 | 2008-09-01 | 相似 |