Discrete semiconductor devices—Blank detail specification for low power bipolar transistors
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| SJ/T 10535-1994 | 半导体器件用钨舟 | 现行 | 1994-08-08 | 1994-12-01 |
| GB/T 7423.3-1987 | 半导体器件散热器 叉指形散热器 | 现行 | 1987-03-16 | 1987-11-01 |
| GB/T 7423.1-1987 | 半导体器件散热器 通用技术条件 | 现行 | 1987-03-16 | 1987-11-01 |
| GB/T 43967-2024 | 空间环境 宇航用半导体器件单粒子效应脉冲激光试验方法 | 现行 | 2024-04-25 | 2024-04-25 |
| GB/T 8446.1-2022 | 电力半导体器件用散热器 第1部分：散热体 | 现行 | 2022-03-09 | 2022-10-01 |
| DB13/T 6033-2024 | 半导体器件低浓度氢效应试验方法 | 现行 | 2024-10-28 | 2024-11-28 |
| T/CI 544-2024 | 低维半导体材料生长 、表征及电子元器件制作流程规范 | 现行 | 2024-10-08 | 2024-10-08 |
| JB 5842-1991 | 电力半导体器件用管芯定位环 | 现行 | 1991-10-24 | 1992-10-01 |
| JB 5843-1991 | 电力半导体器件用接插件 | 现行 | 1991-10-24 | 1992-10-01 |
| YD/T 2001.1-2009 | 用于光纤系统的半导体光电子器件 第1部分：基本特性和额定值 | 现行 | 2009-12-11 | 2010-01-01 |
| YD/T 2001.2-2011 | 用于光纤系统的半导体光电子器件 第2部分：测试方法 | 现行 | 2011-12-20 | 2012-02-01 |
| SJ/T 10414-2015 | 半导体器件用焊料 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| SJ/T 11405-2009 | 光纤系统用半导体光电子器件 第2部分：测量方法 | 现行 | 2009-11-17 | 2010-01-01 |
| SJ/T 11586-2016 | 半导体器件10KeV低能X射线总剂量辐照试验方法 | 现行 | 2016-01-15 | 2016-06-01 |
| JJF 1895-2021 | 半导体器件直流和低频参数测试设备校准规范 | 现行 | 2021-02-23 | 2021-08-23 |
| YS/T 678-2008 | 半导体器件键合用铜丝 | 废止 | 2008-03-12 | 2008-09-01 |
| JB/T 7063-1993 | 电力半导体器件额定电压和电流 | 废止 | 1993-10-08 | 1994-01-01 |
| YS/T 641-2007 | 半导体器件键合用铝丝 | 废止 | 2007-04-13 | 2007-10-01 |